英特尔董事：蚀刻技术将取代光刻成芯片制造核心
2025-06-20 09:50:52 出处：快科技 作者：鹿角 编辑：鹿角 人气： 1207 次 评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错
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快科技6月20日消息，据媒体报道，英特尔一位董事提出，未来晶体管设计（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖。这一观点挑战了当前先进芯片制造的核心范式。
目前，ASML的极紫外（EUV）光刻机是制造高端芯片（如7nm及以下节点）的关键设备，它负责将极其微小的电路设计“打印”到硅晶圆上。
然而，该董事认为，像环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）这样的新型设计，将显著增加光刻之后制造步骤（特别是刻蚀技术）的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。
芯片制造流程始于光刻——将设计图案转移到晶圆表面。随后通过沉积添加材料，并通过刻蚀选择性地去除材料，最终形成晶体管和电路结构。
新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀提出了更高要求。为了从各个方向“包裹”栅极或创建堆叠结构，芯片制造商需要更精细地、特别是横向地去除晶圆上的多余材料。
因此，该董事指出，未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀工艺，以确保这些新型三维晶体管结构的精确成型。这预示着芯片制造技术路线可能迎来重大转变。
