為什麼射頻半導體器件非常貴？
版主： verdelite， TheMatrix
#1 為什麼射頻半導體器件非常貴？
剛剛發現，大功率的射頻半導體器件不是用CMOS，而是用LDMOS或者SiC/GaN HEMT，在digikey上單價超過$100。想問一下，是什麼原因造成射頻功率半導體這麼貴的，甚至超過電腦的CPU和手機的SOC？就是因為銷量低嗎，看起來是NXP等少數公司生產，但是股價和市值並不高啊。
上次由 magagop 在 2025年 5月 9日 13:18 修改。
#2 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
工艺难度大，应用范围窄， 市场需求小， 供需最后平衡在当前的价格上。
CMOS工艺， 加工NVIDIA GPU的和加工苹果A系列芯片的可以是同一个产线。
光是衬底的加工条件就苛刻多了， 这些三五族元素都是剧毒的。
CMOS工艺， 加工NVIDIA GPU的和加工苹果A系列芯片的可以是同一个产线。
光是衬底的加工条件就苛刻多了， 这些三五族元素都是剧毒的。
#3 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
只有GaAs是劇毒吧，SiC不是IBM用來做邏輯芯片的？LDMOS也是MOS的一種，肯定不能跟3nm比複雜度啊，蘋果3nm的SOC也沒有$100以上的價格。fluker 写了： 2025年 5月 9日 11:43 工艺难度大，应用范围窄， 市场需求小， 供需最后平衡在当前的价格上。
CMOS工艺， 加工NVIDIA GPU的和加工苹果A系列芯片的可以是同一个产线。
光是衬底的加工条件就苛刻多了， 这些三五族元素都是剧毒的。
#4 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
中國貨在低端市場確實有競爭力，譬如VHF/UHF三頻鞭式天線，10W對講機專用，我買了日本原裝Diamond $30、日臺合資Nagoya $20、中國山寨Abbree $10，用VNA測試的結果都差不多，日本的確實做工更好，性能也只好一點點。但高端的RF Power Transistor，只有美國歐洲貨，日本中國缺席。
#5 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
这些元件功率密度有限，单价贵的基本上die 都不小，基站用的PA可能核心部件就几个FET，但每个size都很大。magagop 写了： 2025年 5月 9日 11:34 剛剛發現，大功率的射頻半導體器件不是用CMOS，而是用LDMOS或者SiC/GaN HEMT，在digikey上單價超過$100。想問一下，是什麼原因造成射頻功率半導體這麼貴的，甚至超過電腦的CPU和手機的SOC？就是因為銷量低嗎，看起來是NXP等少數公司生產，但是股價和市值並不高啊。
#6 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
材料工艺都贵啊
市场又不是特别大
市场又不是特别大
2022世界傻逼大赛结果出炉：
第三名：某女傻逼：“俄乌这一仗：打虛了美国，打傻了欧盟，打呆了北约，打烂了乌克兰，打出了一个硬汉普京”。
第二名：一个傻逼演讲：“我们千万不能出门，再忍十年，外国人就都死光了，那时候我们就是世界霸主了〞。
第一名：一个在法律上终身不得拥有一寸土地的傻逼满含泪水哽咽地说"台湾领士是我们的"。
第三名：某女傻逼：“俄乌这一仗：打虛了美国，打傻了欧盟，打呆了北约，打烂了乌克兰，打出了一个硬汉普京”。
第二名：一个傻逼演讲：“我们千万不能出门，再忍十年，外国人就都死光了，那时候我们就是世界霸主了〞。
第一名：一个在法律上终身不得拥有一寸土地的傻逼满含泪水哽咽地说"台湾领士是我们的"。
#7 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
面積不能看器件的封裝面積，而應該看核心面積。一個手機SOC核心面積100多平方毫米，3nm工藝，EUV光刻，難道不如NXP的300nm的LDMOS工藝難度高？
#9 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
工艺肯定是3nm贵
功率器件不同功率，频率差别巨大。
1Ghz, 0.1W的肯定跟 5GHz，100W的价格天壤之别。
功率器件不同功率，频率差别巨大。
1Ghz, 0.1W的肯定跟 5GHz，100W的价格天壤之别。
magagop 写了： 今天 15:04 面積不能看器件的封裝面積，而應該看核心面積。一個手機SOC核心面積100多平方毫米，3nm工藝，EUV光刻，難道不如NXP的300nm的LDMOS工藝難度高？
#10 Re: 為什麼射頻半導體器件非常貴？
就算是5GHz 100W的NXP LDMOS，工藝難度也不會高過TSMC N3P，而且至少有五家工廠可以生產，不像N3P基本壟斷，但為什麼LDMOS普遍價格在$200以上，而N3P的SOC價格普遍不到$200呢？既然LDMOS利潤率這麼高，為什麼大家還要拼EUV？射頻器件不香麼？