#21 Re: 新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%
发表于 ： 2025年 10月 14日 18:47
因为现在的光刻胶与13.5 nm几乎没有相互作用 没人知道为什么他就能行 唯一线要是要有苯环
因为现在的光刻胶与13.5 nm几乎没有相互作用 没人知道为什么他就能行 唯一线要是要有苯环
CAR 是传统光刻技术的延续，但为了适应 EUV 进行了深度优化。
核心组分：包含一种称为 “光酸产生剂” 的关键物质。
工作原理：
EUV光子撞击：一个高能的EUV光子被光刻胶吸收。
产生二次电子：光子能量导致材料电离，释放出二次电子。
生成酸：这些二次电子与PAG发生反应，产生一种强酸。
催化反应：在曝光后的烘烤过程中，这种酸作为催化剂，触发聚合物树脂发生一系列化学反应，显著改变其在显影液中的溶解度（一个酸分子可催化成千上万个反应，故称“化学放大”）。
面临的严峻挑战：
随机效应：这是CAR在EUV时代最大的问题。由于EUV光子数量极少（是ArF的1/14），在极小的曝光区域内，光子数量的随机波动、PAG分布的随机性，会导致反应产生的酸数量不均匀，从而引起线条边缘粗糙、断线、桥接等缺陷。
灵敏度与粗糙度的权衡：提高光刻胶的灵敏度（减少所需曝光剂量）通常会加剧随机效应，导致更差的粗糙度。
MOx光刻胶是专为EUV开发的新一代材料，旨在从根本上解决CAR的痛点。
核心材料：基于氧化锡、氧化铪等金属氧化物的纳米簇。
工作原理：
EUV直接吸收：金属原子对13.5nm的EUV光有极高的本征吸收率（比有机CAR高5-10倍），因此效率极高。
原位图案形成：EUV曝光直接引发金属氧化物簇的化学反应，使其在曝光区域发生交联或分解，从而形成不溶或可溶的区域，无需复杂的化学放大过程。
巨大优势：
超高灵敏度：所需的曝光剂量极低，可以大幅提升光刻机的产率。
低粗糙度：由于避免了随机的酸扩散和催化过程，其线条边缘粗糙度 显著优于CAR，能直接得到更光滑的线条。
抗刻蚀性极强：金属氧化物本身非常坚硬，作为掩模时，在后续的刻蚀工艺中非常耐用。
挑战：
材料纯度与缺陷：金属纳米颗粒的纯化和均匀分布控制难度大。
显影与剥离：需要开发新的显影液和工艺来去除未曝光/已曝光的区域。
集成挑战：如何将这种新型材料无缝集成到现有的芯片制造流程中，需要大量的工艺验证。
除了上述两者，还有多种前沿技术正在探索中，例如：
分子玻璃光刻胶：通过设计单分散的有机大分子，来减少CAR中的随机分布问题。
干膜光刻胶：以固态薄膜形式施加，可以避免旋涂带来的材料浪费和均匀性问题。
全球竞争格局与中国现状
全球市场：目前被日本JSR、东京应化、信越化学 和美国陶氏化学 等公司主导。它们在全系列的EUV光刻胶技术上都有深厚布局。
中国现状：
处于紧急追赶的阶段。EUV光刻胶是“卡脖子”的关键材料之一。
一些国内的半导体材料公司（如南大光电、晶瑞电材、上海新阳 等）正在加紧研发。
已经实现了ArF光刻胶的突破和部分国产化，但EUV光刻胶的研发难度是指数级上升的，需要顶尖的化学合成、物理分析和工艺集成能力。
由于中国无法获取ASML的EUV光刻机进行实际验证，这给研发带来了巨大的困难，只能通过理论模拟、与其他曝光源（如电子束）合作等方式进行前期开发。
雪人是行家，说的没错
化学胶的问题是线条边缘粗糙、断线、桥接等缺陷
林椒椒，你发明的啥光刻胶和euv没作用？
为何没有光刻机专家耗子发表意见？
耗只做鸡不做胶
foofy 写了： 2025年 10月 14日 13:34新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。
新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。
EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环。。技术瓶颈
当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率。
短期：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验。
长期：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。
饭耗 来说说
就看今天新凯来的官宣了，大概率是光刻机（开始量产的DUV和未来EUV的时间表）
foofy 写了： 2025年 10月 14日 13:34新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。
新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。
EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环。。技术瓶颈
当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率。
短期：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验。
长期：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。
信源？怎么感觉很假
有一些错误，但是总体是可信的。等几个小时就知道了。
召唤弃婴
foofy 写了： 2025年 10月 14日 13:34新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。
新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。
EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环。。技术瓶颈
当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率。
短期：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验。
长期：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。
source?
耗子回国招摇撞骗彻底无望了
snowman 写了： 2025年 10月 14日 18:43你又胡咧咧了，还拿157的技术套EUV?
EUV光刻胶需要解决的问题和传统光刻胶完全不同，边缘粗糙度不是通过简单的PGA quencher 比例就可以搞定的，需要加入特殊物质提高稳定性。但是随之会产生其他问题（比如outgassing), 和传统光刻胶完全就是different beast
你Y的根本没搞过光刻胶
E UV光刻胶就是KrF version 2 区别只有polymer unit分布均匀度
至于为什么work 没有人知道 只能猜是因为有苯环 因为ArF不work
Linjiaojiao 写了： 2025年 10月 14日 21:03你Y的根本没搞过光刻胶
E UV光刻胶就是KrF version 2 区别只有polymer unit分布均匀度
至于为什么work 没有人知道 只能猜是因为有苯环 因为ArF不work
这不是打自己脸吗，刚咧咧玩什么鸡巴pag quencher比例，现在又变成没有人知道了。
Krf polymer在初期的确用来作为EUV 的主要tv, 然而你用krf chemisty 直接硬套在EUV litho上，这就太扯淡了。polymer 是主干，然而能让ev光刻胶work的关键是添加剂。
EUV 光刻胶的主要挑战是边缘粗糙度，你连这点都不知道，说明完全不懂
到现在还吹IBM那帮骗子搞得2纳米，说明你狗屁不通。IBM连14纳米都做的跟屎一样
他懂个屁。也就拿点一般人不太学的基础物理忽悠一下。
为了打贸易战，中国再也不放出光刻机的官方消息
所以你这些说法非常难证实
foofy 写了： 2025年 10月 14日 13:34新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。
新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。
EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环。。技术瓶颈
当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率。
短期：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验。
长期：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。
现在EUV光刻胶理论上不工作
但它就工作 没人知道为什么
你说的detect 算小的
大的问题是footing跟under cut 甚至直 delimitation
Linjiaojiao 写了： 2025年 10月 14日 21:14现在EUV光刻胶理论上不工作
但它就工作 没人知道为什么
你说的detect 算小的
大的问题是footing跟under cut 甚至直 delimitation
你是真能胡咧，连线宽均一度都跟屎一样，你去搞footing under cut 有个屁用啊，
这就跟一个刚学走路的小孩，连直线还走不了，你就去挑剔走路姿势够不够美观，这不纯傻逼吗？
你就是瞎子摸象，估计是从哪听了两耳朵，还没搞明白就出来忽悠
这个foofy别吹了，这次新凯来根本没有发布光刻设备。
这个应该由计算化学的人来搞，计算原子复合体的分子能级，找到合适的激光媒介。