#62 Re: 鳖国绕开了光刻机
发表于 ： 2025年 11月 11日 12:14
这我不懂
要耗老师出辩经 为什么赛毛这么变态
这我不懂
要耗老师出辩经 为什么赛毛这么变态
F(z)=傅立叶变换(f(x))
F(z)就是像，假设纳米级
f(x)就是掩模，假设微米级
傅立叶变换就是镜头，粗略说缩小1000倍
现在镜头热变形，1000倍变成995倍，你说像会有什么影响？
也就是1*（1-0.005）=0.995微米而已
0.01就是夸大其辞
我不做
但应该如此
Mask ，fused silica
架子是invar，cte低， 金属
冷却的水控制0.01
很容易应该
Mask 附近波动显然很大
一会儿有光一会儿没有
控制架子的变形
化学佬理解成镜头的变形了
llb 写了： 2025年 11月 11日 12:210.01就是夸大其辞
我不做
但应该如此
Mask ，fused silica
架子是invar，cte低， 金属
冷却的水控制0.01
很容易应该Mask 附近波动显然很大
一会儿有光一会儿没有
控制温度还可以用红外照射
不是啥难度
就是复杂而已
弃婴千枝 写了： 2025年 11月 11日 12:19F(z)=傅立叶变换(f(x))
F(z)就是像，假设纳米级
f(x)就是掩模，假设微米级
傅立叶变换就是镜头，粗略说缩小1000倍现在镜头热变形，1000倍变成995倍，你说像会有什么影响？
也就是1*（1-0.005）=0.995微米而已
f(x) 是f (Z) 的四倍
要是都是计算这么简单 没必要放十几个镜头去纠正那十几个差
绕是绕不开的，不过下面光刻机能带来的提高越来越小，都是其他的立体结构，封装啥的。
你看TSMC都不要最新一代光刻机了，不是不好，不值得。
coltzhao 写了： 2025年 11月 11日 12:33绕是绕不开的，不过下面光刻机能带来的提高越来越小，都是其他的立体结构，封装啥的。
你看TSMC都不要最新一代光刻机了，不是不好，不值得。
就是不好， 别装！
能不能做的更加集成，能。
是不是制程费用贵的不值得，确实不值得。
是不是贵的买来不划算使用，确实不划算。
第一个就是
不能。
线宽窄有很多因素。。可能机器不好就会有复杂问题。
我不知道技术细节。但是感觉不能达到limit
会被低na euv 机器挤兑得没有市场
llb 写了： 2025年 11月 11日 13:36第一个就是
不能。线宽窄有很多因素。。可能机器不好就会有复杂问题。
我不知道技术细节。但是感觉不能达到limit
会被低na euv 机器挤兑得没有市场
有啥好感觉的，不需要凭感觉。这些再发货前都已经有过成功历史记录的。
关键是能刻那么细，不代表制程需要刻那么细，也不代表刻那么细划算。
llb 写了： 2025年 11月 11日 13:36第一个就是
不能。线宽窄有很多因素。。可能机器不好就会有复杂问题。
我不知道技术细节。但是感觉不能达到limit
会被低na euv 机器挤兑得没有市场
EUV光源这么复杂 光刻胶原理不明
如果NA 0.1的话 拿什么跟193i 竞争
这你就不懂了。 光学设计有讲究的。 高NA显然都会有各种问题。
我照顾你面子，你就不能少说点？
现在谈的是你的 ultra N 四片镜机问题 这不是技术问题 而是经济性问题 和半导体业界传统 一但制程locked 不会再改
你的low N 只能跟DUV竞争 明显没人会再投钱去改已经成熟 5nm以上制程