中国在EUV光刻机三大核心技术上的进步
发表于 ： 2023年 5月 5日 06:01
转自：http://life.taocms.org/04/62458.htm
EUV光刻机共有三大核心技术，分别为EUV光源系统，高精度弧形反射镜系统、超高精度真空双工件台。
中国并非毫无技术底蕴，这三大核心技术其实还是有一个的。
早在2015年，中国的长春光机所就已经研发出了EUV光刻机的高精度弧形反射镜系统，多层层镀膜面形误差小于0.1nm，达到了EUV级光刻机的标准。
但这套系统有个小问题，并非所有零部件都是国产的，其中镀膜装置采购自海外。
放在外国的话，长春光机所的这项技术就已经是人类最顶尖级别的了，但当被禁售制裁导致镀膜装置买不到后就全废了。
我们知道如何制造人类最顶级的高精度弧形反射镜系统，但缺少镀膜装置这个零部件，导致整个系统都无法制造。
2021年7月，中科院控股企业北京中科科美成功研发出镀膜精度控制在0.1nm以内的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置，满足了长春光机所对零部件的技术要求。
中科科美研发的镀膜装置送到长春光机所后，我国立刻制造出了EUV级光刻机级别的高精度弧形反射镜系统。
这次纯国产，每一个零部件都是国产。
至此EUV光刻机的三大核心技术被我国突破了一个，还剩两个。
2022年，哈工大传来喜讯，该大学科研组成功研发出真空用超高精度激光干涉仪，位移分辨力5pm，位移测量标准差达到30pm，关键指标与ASML最高水平接近，满足EUV真空双工件台对高速超精密激光干涉仪的精度要求。
双工件台造起来不难，但双工件台的工作精度由激光干涉仪决定。
我国突破了真空用超高精度激光干涉仪的关键技术，就可以轻松制造超高精度的真空双工件台。
凭此贡献，哈工大于2022年荣获中国光学领域最高荣誉金隧奖，并在金奖名单里位列第一。
为什么美国要把哈工大列入制裁实体清单，拼命遏制这个学校的发展，现在你应该知道了。
美国的制裁清单都是精挑细选的，从来都不会冤枉任何人，不够格的是不配上清单的。
因为哈工大的贡献，EUV级光刻机的三大核心技术的第二项，被我国成功突破。
还剩下的那最后一项是EUV光源系统，也是核心的核心。
光刻机光刻机，听名字你就知道光源才是最核心的东西，而EUV光源则是EUV光刻机的心脏部件。
这玩意全球只有美国会造，多年来都明文列入瓦森纳协定，美国麾下的42个瓦森纳成员国集体对中国严格禁售。
没有EUV级光源，哪怕其他光刻机部件中国全都造出来了也没用。
2022年下半年，有小道消息说中国已成功研发出EUV级光源，但并没有官方信息证实。
2023年4月13日，长春光机所官网公布消息，中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼在长春光机所参观了EUV光源系统。
这是中国首次官方证实了我国已成功研发出EUV光源系统。
而且在官网的介绍里，明确写着白春礼参观的是EUV光源样机，也就是说长春光机所连工程样机都已经制造出来了。
所谓工程样机，指的是面向商用研制的1:1样机，在通过验收后就可以直接量产，交付客户使用。
按中国的“潜规则”，工程样机没有经过严格测试认定成功之前是不可能邀请领导来参观的，敢让领导来参观并在官网上对外公布，那就说明该工程样机不仅制造成功且已经通过了测试。
倒算时间，长春光机所在实验室里成功研发出EUV光源那就是去年底，小道消息没有错，只是官网通告要把方方面面都测试到万无一失才可以，所以又等了半年才公布。
至此，中国成功突破了EUV光刻机的所有关键技术，跨过了高端光刻机和中端光刻机的关键门槛，纯国产7nm和5nm甚至3nm芯片生产线的大门已被中国彻底打开。
对此消息，外媒的评价是“炸裂式技术突破”。
按光刻机行业的正常进度，光源样机造出后只要一年时间就可以制造出用于芯片制造的光刻机，然后各种测试、磨合和商业化规模应用大概要花费2年的时间。
换句话说，2024年中国将成功制造出纯国产的EUV级光刻机整机，2026年之前将彻底落地商业化规模生产，如果各企业及监管部门通力协作加班加点，这个时间还可以提前。
中国原计划是2030年之前突破EUV光刻机，按目前的进度看绝对可以大大提前，将至少提前4年，甚至5年。
随着中国对EUV光刻机研发进度的不断增长，ASML对中国的态度也在不断变化。
EUV光刻机共有三大核心技术，分别为EUV光源系统，高精度弧形反射镜系统、超高精度真空双工件台。
中国并非毫无技术底蕴，这三大核心技术其实还是有一个的。
早在2015年，中国的长春光机所就已经研发出了EUV光刻机的高精度弧形反射镜系统，多层层镀膜面形误差小于0.1nm，达到了EUV级光刻机的标准。
但这套系统有个小问题，并非所有零部件都是国产的，其中镀膜装置采购自海外。
放在外国的话，长春光机所的这项技术就已经是人类最顶尖级别的了，但当被禁售制裁导致镀膜装置买不到后就全废了。
我们知道如何制造人类最顶级的高精度弧形反射镜系统，但缺少镀膜装置这个零部件，导致整个系统都无法制造。
2021年7月，中科院控股企业北京中科科美成功研发出镀膜精度控制在0.1nm以内的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置，满足了长春光机所对零部件的技术要求。
中科科美研发的镀膜装置送到长春光机所后，我国立刻制造出了EUV级光刻机级别的高精度弧形反射镜系统。
这次纯国产，每一个零部件都是国产。
至此EUV光刻机的三大核心技术被我国突破了一个，还剩两个。
2022年，哈工大传来喜讯，该大学科研组成功研发出真空用超高精度激光干涉仪，位移分辨力5pm，位移测量标准差达到30pm，关键指标与ASML最高水平接近，满足EUV真空双工件台对高速超精密激光干涉仪的精度要求。
双工件台造起来不难，但双工件台的工作精度由激光干涉仪决定。
我国突破了真空用超高精度激光干涉仪的关键技术，就可以轻松制造超高精度的真空双工件台。
凭此贡献，哈工大于2022年荣获中国光学领域最高荣誉金隧奖，并在金奖名单里位列第一。
为什么美国要把哈工大列入制裁实体清单，拼命遏制这个学校的发展，现在你应该知道了。
美国的制裁清单都是精挑细选的，从来都不会冤枉任何人，不够格的是不配上清单的。
因为哈工大的贡献，EUV级光刻机的三大核心技术的第二项，被我国成功突破。
还剩下的那最后一项是EUV光源系统，也是核心的核心。
光刻机光刻机，听名字你就知道光源才是最核心的东西，而EUV光源则是EUV光刻机的心脏部件。
这玩意全球只有美国会造，多年来都明文列入瓦森纳协定，美国麾下的42个瓦森纳成员国集体对中国严格禁售。
没有EUV级光源，哪怕其他光刻机部件中国全都造出来了也没用。
2022年下半年，有小道消息说中国已成功研发出EUV级光源，但并没有官方信息证实。
2023年4月13日，长春光机所官网公布消息，中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼在长春光机所参观了EUV光源系统。
这是中国首次官方证实了我国已成功研发出EUV光源系统。
而且在官网的介绍里，明确写着白春礼参观的是EUV光源样机，也就是说长春光机所连工程样机都已经制造出来了。
所谓工程样机，指的是面向商用研制的1:1样机，在通过验收后就可以直接量产，交付客户使用。
按中国的“潜规则”，工程样机没有经过严格测试认定成功之前是不可能邀请领导来参观的，敢让领导来参观并在官网上对外公布，那就说明该工程样机不仅制造成功且已经通过了测试。
倒算时间，长春光机所在实验室里成功研发出EUV光源那就是去年底，小道消息没有错，只是官网通告要把方方面面都测试到万无一失才可以，所以又等了半年才公布。
至此，中国成功突破了EUV光刻机的所有关键技术，跨过了高端光刻机和中端光刻机的关键门槛，纯国产7nm和5nm甚至3nm芯片生产线的大门已被中国彻底打开。
对此消息，外媒的评价是“炸裂式技术突破”。
按光刻机行业的正常进度，光源样机造出后只要一年时间就可以制造出用于芯片制造的光刻机，然后各种测试、磨合和商业化规模应用大概要花费2年的时间。
换句话说，2024年中国将成功制造出纯国产的EUV级光刻机整机，2026年之前将彻底落地商业化规模生产，如果各企业及监管部门通力协作加班加点，这个时间还可以提前。
中国原计划是2030年之前突破EUV光刻机，按目前的进度看绝对可以大大提前，将至少提前4年，甚至5年。
随着中国对EUV光刻机研发进度的不断增长，ASML对中国的态度也在不断变化。