湖大又双叒叕搞出大新闻了

!登上顶级期刊Science封面级别的研究啊!湖南大学段曦东教授团队这次直接把二维晶体管性能天花板给捅穿了!!!
简单粗暴一句话亮点:

搞定了二维芯片里最头疼的“p型掺杂”世纪难题!

性能数据离谱到窒息:接触电阻低到0.041 kΩ·μm!电流高到2.30 mA/μm!直接破世界纪录!



为啥这么牛?给你用人话说

1. 二维芯片的“世纪痛点”:
芯片越做越小,薄到原子层级别的时候(想象一下一层原子!),传统方法根本没法有效给它“打孔”(p型掺杂),导致性能卡脖子!

2. 湖大团队的神操作:
他们玩转了两种超薄材料(SnS₂和WSe₂),像搭乐高一样叠在一起(范德华异质结),再巧妙加个“电闸”(栅极)调控!
3. 效果炸裂

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密度飙升5倍! 空穴密度高达 1.49 × 10¹⁴ /cm² (看不懂没关系,记住:超高!远超物理极限!)
电阻低到离谱! 接触电阻仅 0.041 kΩ·μm (业内顶尖水平,意味着信号传输超快!)
电流强到飞起! 导通电流密度 2.30 mA/μm (破纪录!性能翻倍级别的提升!)

划重点:这波操作不只是针对一种材料!它是一种全新的“万能思路”(gate-driven band modulation hyperdoping),未来各种二维芯片都能用!想象空间巨大!

意义有多大? 这意味着下一代超薄、超强、超省电的芯片离我们更近了!手机电脑速度更快、更轻薄、续航更持久不是梦!妥妥的科技强国实力认证!