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#1 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:16
由 superdsb
国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功，良率70%，5纳米光刻胶也在试产前搞定，在等待工信部确认。这是全链路5纳米，且无需多重曝光的线。虽然不是官方新闻，信息源也很可靠，是对半导体大咖老张有话说最新抖音视频的解读。老张在视频里兴奋激动的语无伦次！ #中国制造 #光刻机 #芯片 #人工智能发展 #科技资讯早知道 。更多的信息已经传来，我国第一条EUV极紫外光刻机已经在东莞松山湖厂区进行紧锣密鼓的调试！而且是高水平的调通！整体良率达到70%以上。从去年到现在几千工程师花了八个月时间将全部国产的核心光源，精密光学超高度精确控制，真空环境等世界性技术完成组装调试调机。今天早上的调试成功，不仅仅只是从实验走向工业应用，更为我国高品质芯片大量生产铺平道路！这是人类历史上的一个奇迹！
#2 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:20
由 foofy
老张有话说可靠吗？
#3 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:22
由 hhcare
Wph 没有
等于白说
#4 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:22
由 krzkrz
foofy 写了： 2025年 6月 20日 09:20
老张有话说可靠吗？
直播时候华为内部员工直接爆料 你说可靠不可靠
#5 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:23
由 lahei
总之，耗子只能郁闷背粪残生了
#6 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:24
由 krzkrz
hhcare 写了： 2025年 6月 20日 09:22
Wph 没有
等于白说
耗子这个酸啊
#7 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:24
由 snowman
假新闻，没那么快
#8 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 09:24
由 hhcare
krzkrz 写了： 2025年 6月 20日 09:22
直播时候华为内部员工直接爆料 你说可靠不可靠
华为员工大嘴巴吹得多了
没有任何可信度
#9 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 10:59
由 dearbornp
foofy 写了： 2025年 6月 20日 09:20
老张有话说可靠吗？
这人净瞎扯淡，胡吹的没边了。要么是为了抓眼球，要么是带着任务来的。去看看内部人士的评论就知道了，EUV八字还没有一撇。DUV还在艰苦的磨合中。
#10 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 11:00
由 foofy
dearbornp 写了： 2025年 6月 20日 10:59
这人净瞎扯淡，胡吹的没边了。要么是为了抓眼球，要么是带着任务来的。去看看内部人士的评论就知道了，EUV八字还没有一撇。DUV还在艰苦的磨合中。
哪个内部人士？你吗？
#11 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 11:03
由 sanguan
中国duv 跟euv基本上同步的， 现在出来超过多数人预期， 但是出来是迟早的， 白畜不懂中国人擅长技术， 拿技术卡中国脖子是猪油蒙心
#12 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 11:04
由 fanqie
有一定的可信度. 机器去年就造出来了.各种配套工艺,一般需要开发3年. 中国可以压缩到1年半.
按照现在的说法, 70%的良率, 已经非常了不起了. 80%以上就可以挑台积电了.
现在美国应该评估一下梧桐的后果了. 直接把美国的芯片行业打掉两代.
#13 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 11:30
由 SODxx
sanguan 写了： 2025年 6月 20日 11:03
中国duv 跟euv基本上同步的， 现在出来超过多数人预期， 但是出来是迟早的， 白畜不懂中国人擅长技术， 拿技术卡中国脖子是猪油蒙心
#14 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 11:34
由 wonderstreet
70%？这种骗点击的帖子还是别转了
#15 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 11:43
由 Linjiaojiao
superdsb 写了： 2025年 6月 20日 09:16
国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功，良率70%，5纳米光刻胶也在试产前搞定，在等待工信部确认。这是全链路5纳米，且无需多重曝光的线。虽然不是官方新闻，信息源也很可靠，是对半导体大咖老张有话说最新抖音视频的解读。老张在视频里兴奋激动的语无伦次！ #中国制造 #光刻机 #芯片 #人工智能发展 #科技资讯早知道 。更多的信息已经传来，我国第一条EUV极紫外光刻机已经在东莞松山湖厂区进行紧锣密鼓的调试！而且是高水平的调通！整体良率达到70%以上。从去年到现在几千工程师花了八个月时间将全部国产的核心光源，精密光学超高度精确控制，真空环境等世界性技术完成组装调试调机。今天早上的调试成功，不仅仅只是从实验走向工业应用，更为我国高品质芯片大量生产铺平道路！这是人类历史上的一个奇迹！
骗谁 EUV high N都只能到二十nm
EUV做5 nm需double patterning
#16 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 12:51
由 Westin
fanqie 写了： 2025年 6月 20日 11:04
有一定的可信度. 机器去年就造出来了.各种配套工艺,一般需要开发3年. 中国可以压缩到1年半.
按照现在的说法, 70%的良率, 已经非常了不起了. 80%以上就可以挑台积电了.
现在美国应该评估一下梧桐的后果了. 直接把美国的芯片行业打掉两代.
牛皮吹小了，良率应该是95%
#17 Re: 国产极紫外EUV光刻机3纳米芯片试产成功
发表于 ： 2025年 6月 20日 13:12
由 midlander
2030年做出来EUV都是大突破。
