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#1 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 15:43
由 一紙荒唐
https://huaren.us/showtopic.html?topicid=3116761
国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
尊嘟假嘟?我看腾讯、新浪、搜狐都同时报道了。知道它要来,没想到来的这么快。有没有人知道细节的。我说前段时间为什么美国要把EDA软件给禁了呢,原来是知道挡不住了。如果是真的那就TM爽了。

#2 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 15:45
由 一紙荒唐
耗子的Job 危险啦...
不过以伊冲突... 导致圣地亚哥房价大涨
耗子大赚
所以耗子肯定不在再乎... 底气足啊
#3 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 15:46
由 mesofish
即将和可达有三哥味儿
#4 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 15:47
由 007航母
光刻机五毛每个月抖一次
#5 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 15:48
由 一紙荒唐
#6 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 15:51
由 一紙荒唐
我看 耗子轻松资产再添一粒米都不止

#7 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 16:09
由 Cohcoh
能耗还是比台鸡电高,再接再厉,离彻底打破封锁不远了。
#8 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 16:15
由 llling369
中国的电用不完,还在乎这个的能耗?
Cohcoh 写了: 2025年 6月 21日 16:09
能耗还是比台鸡电高,再接再厉,离彻底打破封锁不远了。
#9 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 16:24
由 zmz123
很好,干死尤猪煤地
#10 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 16:28
由 hhcare
我们公司会不会重用我回去偷技术?
#11 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 18:57
由 llling369
这算专家确认了吗?
hhcare 写了: 2025年 6月 21日 16:28
我们公司会不会重用我回去偷技术?
#12 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:02
由 李洪志
hhcare 写了: 2025年 6月 21日 16:28
我们公司会不会重用我回去偷技术?
你是不是已经到了第四阶段?
#13 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:04
由 hhcare
#14 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:05
由 England
五毛成天自慰
#15 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:08
由 verdelite
这啥照片?ASML吗?如果是ASML还不能实锤;不是ASML就能实锤。
#16 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:08
由 李洪志
Cohcoh 写了: 2025年 6月 21日 16:09
能耗还是比台鸡电高,再接再厉,离彻底打破封锁不远了。
这篇转载不全,原文能耗远低于台积电的阿斯麦
测试数据显示,该设备每小时可处理250片晶圆,超越ASML同级别设备的195片产能。 其核心光源采用哈工大研发的激光诱导放电等离子体(LDP)技术,能量转换效率达到ASML方案的2.25倍,设备体积却缩小了30%。
一位参与测试的工程师描述:“当13.5纳米波长的紫色光束首次穿透晶圆时,整个车间爆发出掌声,这意味着我们真正握住了芯片制造的‘光剑’。 ”
与ASML的二氧化碳激光轰击技术不同,中国团队选择了“换道超车”策略。 哈工大开发的放电等离子体极紫外光源(DPP)采用固体脉冲激光器,直接将电能转化为等离子体辐射,省去了复杂的激光放大环节。
#17 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:23
由 Linjiaojiao
李洪志 写了: 2025年 6月 21日 19:08
这篇转载不全,原文能耗远低于台积电的阿斯麦
测试数据显示,该设备每小时可处理250片晶圆,超越ASML同级别设备的195片产能。 其核心光源采用哈工大研发的激光诱导放电等离子体(LDP)技术,能量转换效率达到ASML方案的2.25倍,设备体积却缩小了30%。
一位参与测试的工程师描述:“当13.5纳米波长的紫色光束首次穿透晶圆时,整个车间爆发出掌声,这意味着我们真正握住了芯片制造的‘光剑’。 ”
与ASML的二氧化碳激光轰击技术不同,中国团队选择了“换道超车”策略。 哈工大开发的放电等离子体极紫外光源(DPP)采用固体脉冲激光器,直接将电能转化为等离子体辐射,省去了复杂的激光放大环节。
哈狗眼能看见13.5 nm的光束 还是紫色的
#18 Re: 国产EUV光刻机突破,即将试产!良率可达70%
发表于 : 2025年 6月 21日 19:24
由 xiaoju
这是营销号顺着西方谣言加工旧闻
国产EUV早就在试生产内存了,突破是一个过程不是一个时刻