华为的Fin-FET

[sdehc]

这些都是小道消息，谨慎服用。

据国家知识产权局中国专利公布公告显示，2023年2月3日，华为技术有限公司申请的“鳍式场效应晶体管和制备方法”的发明专利公布。有博主通过绘制示意图告诉公众，华为的晶体管设计专利是中国首个FET结构设计，相较于FinFET以及GAA FET，它的结构可以鳍通道被闸门全包围，时钟频率大了一倍，电阻下降一半，性能或将比GAA强10%。采用这种晶体管工艺，14纳米制程工艺性能甚至有望追平7纳米制程工艺！

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某博主绘制的华为自研FinFET晶体管与其他晶体管对比
当然，华为发明的这种新型FET晶体管并不是只是画个图那么简单，如何开发出可以量产的生产工艺才是关键，这需要采用新的半导体材料和新技术才能做到。

[sdehc]

[sdehc]

中国经济网报道称预计年底前交付国产DUVi、EUV取得重大技术突破！这或许是我国最近发起战略反击的主要原因

7月26日，中国经济网引用《证券日报》的报道称，预计在2023年底将国产第一台 SSA /800-10W的DUVi设备交付市场。此外，报道还提到EUV主要关键零部件均有重大技术突破。
前不久，外国媒体也报道称，SMEE（上海微电子）正在小批量测试的193nm ArF 浸入式 DUV与 ASMLicon 的 NXT :2000i型号相比较。
这两个消息正好对上了！通过几个月小批量测试，只要良率足够高就能量产交付客户。

今年还有个不一样的举动就是，我国官方竟然开始战略反击，美国洛克希德•马丁公司被罚巨款，管控镓、锗供应，还宣布，视情况进一步出台反制措施。如果没有半导体国产产业链icon国产化做后盾，贸然反击可能招来更大损失！
因此，综合判断制程工艺生产线全套应该是取得了重大技术突破，那么年底SSA /800-10W设备交付客户的消息是高度可信的！
再联想到7月17日，美国Chip三巨头集体呼吁美国政府停止限制对华限制的反常举动，很可能是因为我国制程工艺关键设备DUVi或EUV取得重大技术突破，继续限制的意义不大，反而会加速中国制程工艺设备、材料国产化。再加上最近几天某认证华为海思员工的大V公开发声，称华为麒麟SOC将重出江湖，而华为官方不再辟谣等重磅好消息，种种迹象表明，国产制程工艺一定是取得了重大技术突破！
至于国产DUVi、EUV没交付客户这段时间该怎么办呢？既然都造出DUVi了，那就不担心易损件断供，只要对方敢断供，我们就用国产替代品补上就行了。当然，易损件一般都是有库存备件的，如果提前备货，撑个半年以上是没问题的！但是这么做对外国供应商来说却是饮鸩止渴的损招，他们未必真敢这么做。
目前也没有证据表明中国厂商违反美国商务部的规定，外国供应商也不会随意加大限制力度。
总之，道路是曲折的，但前途是光明的! 今年或是我国在半导体制造领域绝地反击的开始，随着国产EUV的发展成熟，再往后一定还会有更令人振奋的消息对外公布，拭目以待

[Singkarpo]

LOL, 把insulator 切开， 直接连接衬底，真傻逼。