中科院高能所同步辐射实验室试验成功200纳米光刻机

[konichiwa]

http://www.ihep.cas.cn/jgsz/kyxt/mic/pt ... tion/LIGA/

BSRF光刻组的研究工作是以同步辐射光刻为核心，通过结合其它微加工手段开展多方位的MEMS研究和应用，包括准LIGA技术，SU8技术，硅刻蚀技术和纳米岛光刻技术等。研究内容包括MEMS的电泳芯片，金属光栅，热压模具，加速度计微结构，电火花电极，金属微孔，微质谱仪金属结构，金属镂空模版，以及精密微金属结构系统等，以及基于氯化铯自组装技术的纳米岛光刻技术研究和应用。

图5为3B1A束线的LIGA技术深度光刻胶结构照片，胶结构高度1mm，最小结构宽度10μm，高宽比100。由于3B1弯铁引出的X光能量小于以前的3W1束线X光能量，光刻的结构深度没有提高，但光刻结构的最重要质量指标（高宽比）有了大幅提高，丛40提高到了100，而且曝光面积由原来的水平15毫米提高到50多毫米宽，还可根据实际应用的需要扩展到100毫米以上，完全能够满足批量化生产的实际需要。



　

图5，LIGA光刻胶结构　　　　　 图6，纳米光刻胶结构

图6为3B1B束线的纳米同步辐射光刻胶高密度光栅结构照片（由中国科学院微电子研究所完成），该光栅5000线对/毫米，线宽100纳米，高580纳米，高宽比5.8，能够很好满足实际X光衍射器件需要。

图7为大高宽比镍结构，宽度5微米，高度200微米，高宽比为40。图8为金属齿轮结构，结构高度1毫米。图9为米字镍结构模具，宽度20微米。图10为金结构微孔，宽度1微米。

[chinaren]

这就是0到1的突破，1到100就容易多了！

[mydada]

这个是用来解决EUV光源

[Rabboni]

麻痹的不是说天朝14纳米的光刻机都做出来了吗？高能所的那帮孙子还在弄200纳米？

[konichiwa]

说明同步辐射光源的退相干可以解决

对于物理学，只要原理上走得通，技术实现不成问题

麻痹的不是说天朝14纳米的光刻机都做出来了吗？高能所的那帮孙子还在弄200纳米？

[Goou]

麻痹的不是说天朝14纳米的光刻机都做出来了吗？高能所的那帮孙子还在弄200纳米？

DUV的波长是193纳米，可以用来制造7nm的芯片。
EUV的波长是13.5纳米，可以用来制造3nm的芯片。

高能所轫致辐射 200nm的光源，基本上可以代替DUV了。
再说，轫致辐射弄到EUV的程度也不难。

[Goou]

先弄200nm的光源，是技术验证吧。

下面就是提高加速器上的电子能量，提高十几二十倍，就能到EUV的波长了。

[Amorphous]

说明同步辐射光源的退相干可以解决

对于物理学，只要原理上走得通，技术实现不成问题

同步辐射本来就不相干，为毛退相干？

[chinaren]

就楼主是顶尖创世聪明，中有关专家都是傻子，还不如你一个外行看通门道！

[Cohcoh]

尼玛这要是成了，就是asml完全不同的路线，而且有做到更小尺度的潜力。一个加速器带几个芯片厂，大规模制造高级芯片，芯片变白菜价。

[wttw]

沿着这条路线，以后可以有X射线光刻机了，0.1纳米都行

[monk]

尼玛这要是成了，就是asml完全不同的路线，而且有做到更小尺度的潜力。一个加速器带几个芯片厂，大规模制造高级芯片，芯片变白菜价。

隐约想起了圆珠笔尖用钢，太钢烧了一炉够用几年，然后瑞士某小作坊就歇业了。

[zengerl]

人家说的是光源，不是芯片。

麻痹的不是说天朝14纳米的光刻机都做出来了吗？高能所的那帮孙子还在弄200纳米？

[G99991]

刁夶畜大棒槌竖起大拇指：纳粹铲逼国早就量子芯片，碳鸡芯片，嬷嬷芯片了。

[Cohcoh]

沿着这条路线，以后可以有X射线光刻机了，0.1纳米都行

这种多管齐下，饱和式攻击的科研方式，只有中美欧几个大国玩得起。其实只有中美。很多科技进步其实就是试出来的。当然你得首先有方向，基础研究要扎实，要广泛。所以不要小看每年发表的论文数量。科研数量和广泛程度，本身就是一种质量。

[wanmeishijie]

先弄200nm的光源，是技术验证吧。

下面就是提高加速器上的电子能量，提高十几二十倍，就能到EUV的波长了。

你这个不经济啊

[clearjks]

实验没问题，工业化量产就是另一回事了！稳定性，可靠性，价格都要考虑！然后中共就没戏了！哈哈！

http://www.ihep.cas.cn/jgsz/kyxt/mic/pt ... tion/LIGA/

BSRF光刻组的研究工作是以同步辐射光刻为核心，通过结合其它微加工手段开展多方位的MEMS研究和应用，包括准LIGA技术，SU8技术，硅刻蚀技术和纳米岛光刻技术等。研究内容包括MEMS的电泳芯片，金属光栅，热压模具，加速度计微结构，电火花电极，金属微孔，微质谱仪金属结构，金属镂空模版，以及精密微金属结构系统等，以及基于氯化铯自组装技术的纳米岛光刻技术研究和应用。

图5为3B1A束线的LIGA技术深度光刻胶结构照片，胶结构高度1mm，最小结构宽度10μm，高宽比100。由于3B1弯铁引出的X光能量小于以前的3W1束线X光能量，光刻的结构深度没有提高，但光刻结构的最重要质量指标（高宽比）有了大幅提高，丛40提高到了100，而且曝光面积由原来的水平15毫米提高到50多毫米宽，还可根据实际应用的需要扩展到100毫米以上，完全能够满足批量化生产的实际需要。



　

图5，LIGA光刻胶结构　　　　　 图6，纳米光刻胶结构

图6为3B1B束线的纳米同步辐射光刻胶高密度光栅结构照片（由中国科学院微电子研究所完成），该光栅5000线对/毫米，线宽100纳米，高580纳米，高宽比5.8，能够很好满足实际X光衍射器件需要。

图7为大高宽比镍结构，宽度5微米，高度200微米，高宽比为40。图8为金属齿轮结构，结构高度1毫米。图9为米字镍结构模具，宽度20微米。图10为金结构微孔，宽度1微米。

[cokecoke]

这是新思路吧，如果成功，就彻底突围了

[clearjks]

当然不是，这个思路都烂大街很多年了，主要是成本太高，光源不稳定！哈哈！

这是新思路吧，如果成功，就彻底突围了

[bigball]

当然不是，这个思路都烂大街很多年了，主要是成本太高，光源不稳定！哈哈！

总比一年4千亿芯片便宜