EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
版主： Softfist
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#42 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
耗子是有好奇心的,为了吓唬他我问过他一篇激光的文章,当时别的大牛也没有出来现丑,按米油的规矩就是不懂,其实是专业分工太细.嗓越大的其实也就是刚看了油管就来显.我中肯地请教耗老师怎么做光学测量精度实验.普通本科生根本接触不到的那种
#43 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
https://books.ms/main/55CB9A9AB61F5ADF2D0247B72E4AEB7D
x-ray microscopy
chap 5 x ray focusing optics， 讲了x射线光学的困难以及如何应对，可以解释为什么要用多次反射
euv就是软x射线
上次由 弃婴千枝 在 2025年 2月 8日 23:24 修改。
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#45 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
你这图，我感觉在掩膜之前的掠射主要是为了会聚光束，只是简单的汇聚，和成像无关；弃婴千枝 写了： 2025年 2月 8日 23:10 镜子都接近平面镜，曲率很小，
所以需要反射很多次才能得到所需的成像，这叫wolter telescope
url=https://postimages.org/][/url]
在掩膜之后，其实没多少掠射。掩膜之后接近平面镜的原因，我觉得原因是减小相差。镜面曲率越大像差越难对付。在消色差方法发明前，西方古代科学家为了减小像差，把望远镜造几十米长。
所以我倒是有个建议。把光刻机造得巨大。找个厂房，中科大的火灾实验室我看就不错。十层楼高，待刻硅片在地面高度，掩膜在10层楼顶高度。或者造个100米长的厂房。掩膜后第一个主反射镜需要离掩膜近，以搜集光线。但是第二个就可以离得远。这样像差又得到控制，镜片数量又可以减小。待会儿我来画个图。
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#46 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
你翻翻我上面挂的书verdelite 写了： 2025年 2月 8日 23:25 你这图，我感觉在掩膜之前的掠射主要是为了会聚光束，只是简单的汇聚，和成像无关；
在掩膜之后，其实没多少掠射。掩膜之后接近平面镜的原因，我觉得原因是减小相差。镜面曲率越大像差越难对付。在消色差方法发明前，西方古代科学家为了减小像差，把望远镜造几十米长。
所以我倒是有个建议。把光刻机造得巨大。找个厂房，中科大的火灾实验室我看就不错。十层楼高，待刻硅片在地面高度，掩膜在10层楼顶高度。或者造个100米长的厂房。掩膜后第一个主反射镜需要离掩膜近，以搜集光线。但是第二个就可以离得远。这样像差又得到控制，镜片数量又可以减小。待会儿我来画个图。
#47 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
弃婴， 有些假是可以做的， 比如多反射几次，
有些假是没法做的， 比如掠入射，
因为掠入射必然得大大加大体积， 这很容易被人看出来。
你就是死鸭子嘴硬
有些假是没法做的， 比如掠入射，
因为掠入射必然得大大加大体积， 这很容易被人看出来。
你就是死鸭子嘴硬
#49 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
一群真没见过光刻
首先mask图比直的大4倍
需要用光学系统去 shrink
这期间要校正什么鸟jb差 学光学能整出快十个来 把叔头的头弄得不工作 所以要拼命加镜7子
耗老师的四片镜 估计六十纳米出来都是糊的
首先mask图比直的大4倍
需要用光学系统去 shrink
这期间要校正什么鸟jb差 学光学能整出快十个来 把叔头的头弄得不工作 所以要拼命加镜7子
耗老师的四片镜 估计六十纳米出来都是糊的
#50 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
河北耗子没学过本科原子物理，不知道布拉格条件hhcare 写了： 2025年 2月 8日 23:40 弃婴， 有些假是可以做的， 比如多反射几次，
有些假是没法做的， 比如掠入射，
因为掠入射必然得大大加大体积， 这很容易被人看出来。
你就是死鸭子嘴硬
我这里给你扫个盲
bragg condition
A volume Bragg grating within a glass block reflects an incident beam, if the Bragg condition is met (left-hand side). For a different angle of incidence, hardly any reflection occurs.
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#51 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
你太牛了！
整个买买提我就服你！
整个买买提我就服你！
弃婴千枝 写了： 2025年 2月 8日 22:49 、
你妈，这里竟然没人能解答，太震惊了
这光学机构叫做Wolter-Schwarzschild telescope，主要用于x ray或者γ ray望远镜
为什么要反射14次？
因为x射线或者γ射线透射能力强，只能在入射角很大的情况下精明才能有效反射，不然就穿透经贸了。所以只有镜面曲率很小的情况下才有效反射，这相当于望远镜镜片曲率很小（相当于平面透镜）所以要多次反射才能完成所需的缩小（光刻）或放大（望远镜）比例
今日加沙
明日台湾
明日台湾
#52 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
包邮区装屄瘪三又来装屄现眼了，几乎没有一句是对的，操！弃婴千枝 写了： 2025年 2月 8日 22:49
你妈，这里竟然没人能解答，太震惊了
这光学机构叫做Wolter-Schwarzschild telescope，主要用于x ray或者γ ray望远镜
为什么要反射14次？
因为x射线或者γ射线透射能力强，只能在入射角很大的情况下精明才能有效反射，不然就穿透经贸了。所以只有镜面曲率很小的情况下才有效反射，这相当于望远镜镜片曲率很小（相当于平面透镜）所以要多次反射才能完成所需的缩小（光刻）或放大（望远镜）比例
1. Wolter-Schwarzschild telescope跟EUV光刻机的光学系统你妈逼的完全不一样，一个是掠入射，一个布拉格多层膜反射，如果两者互换光学系统，全部完蛋，搞个你妈逼的望远镜光刻机。你个傻屄大概根本不知道光刻机如果全部掠射机器得多大？如果用宇宙X射线做直射光源功率得多大？你个瘪三除了google瞎逼逼连小学物理都没学会。
2. EUV光刻机需要多次反射跟Wolter-Schwarzschild telescope因X线穿透力强而采用掠射有个鸡巴关系。X光和EUV是两个不同的波段，仅仅因为相邻，13.5nm 的EUV才勉勉强强称为软X光，13.5nm你妈逼都不在官方标准的X光波长(0.01-10nm, IEC 60601-1-3)范围内，跟X，γ光有个鸡巴关系。EUV光刻机只关心光的三个方面，collection, illumination, 和projection，反射多次仅仅是为了满足这三个要求，减少光损和相差，提高NA提高成像精度，不是你妈逼的因为x光只能掠射才不得不多次反射。恰恰相反，ASML的新EUV光刻机几乎全部采用直射而不是掠射，NXE3400，11块反射镜，NXE3400C，14块反射镜，都是只有一块掠射镜，而且掠射镜只用于第一步的光收集。按你个瘪三的说法，ASML不懂X光。
3. 你个瘪三虽然只会Google瞎逼逼，但你应该查仔细点，ASML光刻机的光学原理和反射镜，ASML官网，蔡司官网都有详细的介绍，例如蔡司官网对布拉格多层镀膜反射，近直射入射角（6度），自由曲面，NA，都有详细介绍，ASML官网有光刻机实物照片，睁开你的装逼狗眼看看是入射角多大，是掠射还是直射。
你就一包邮区装逼瘪三，无他。
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上赶子回爷帖子的独运轮1450殖人政庇以及名字为三个字母的智障畜生死全家。
#54 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
骂得痛快！mikokoro 写了： 2025年 2月 9日 07:47 包邮区装屄瘪三又来装屄现眼了，几乎没有一句是对的，操！
1. Wolter-Schwarzschild telescope跟EUV光刻机的光学系统你妈逼的完全不一样，一个是掠入射，一个布拉格多层膜反射，如果两者互换光学系统，全部完蛋，搞个你妈逼的望远镜光刻机。你个傻屄大概根本不知道光刻机如果全部掠射机器得多大？如果用宇宙X射线做直射光源功率得多大？你个瘪三除了google瞎逼逼连小学物理都没学会。
2. EUV光刻机需要多次反射跟Wolter-Schwarzschild telescope因X线穿透力强而采用掠射有个鸡巴关系。X光和EUV是两个不同的波段，仅仅因为相邻，13.5nm 的EUV才勉勉强强称为软X光，13.5nm你妈逼都不在官方标准的X光波长(0.01-10nm, IEC 60601-1-3)范围内，跟X，γ光有个鸡巴关系。EUV光刻机只关心光的三个方面，collection, illumination, 和projection，反射多次仅仅是为了满足这三个要求，减少光损和相差，提高NA提高成像精度，不是你妈逼的因为x光只能掠射才不得不多次反射。恰恰相反，ASML的新EUV光刻机几乎全部采用直射而不是掠射，NXE3400，11块反射镜，NXE3400C，14块反射镜，都是只有一块掠射镜，而且掠射镜只用于第一步的光收集。按你个瘪三的说法，ASML不懂X光。
3. 你个瘪三虽然只会Google瞎逼逼，但你应该查仔细点，ASML光刻机的光学原理和反射镜，ASML官网，蔡司官网都有详细的介绍，例如蔡司官网对布拉格多层镀膜反射，近直射入射角（6度），自由曲面，NA，都有详细介绍，ASML官网有光刻机实物照片，睁开你的装逼狗眼看看是入射角多大，是掠射还是直射。
你就一包邮区装逼瘪三，无他。
#55 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
黄泛区傻毴不懂就不要张嘴
euv是100eV能量的soft x ray，反射镜用的是多层镀膜方式构造bragg mirror，而不是金属抛物面mirror
euv在镜面上的反射也需要满足bragg条件，bragg条件限制了bragg mirror做成的反射镜曲率不能太大，
这就造成euv反射镜类似平面镜，焦距很长，需要多个镜面反射才能达到最终成像要求，这就是需要楼主说的14镜的原因
黄泛区赤佬要是还不明白，读读下面bragg条件：
A volume Bragg grating within a glass block reflects an incident beam, if the Bragg condition is met (left-hand side). For a different angle of incidence, hardly any reflection occurs
euv是100eV能量的soft x ray，反射镜用的是多层镀膜方式构造bragg mirror，而不是金属抛物面mirror
euv在镜面上的反射也需要满足bragg条件，bragg条件限制了bragg mirror做成的反射镜曲率不能太大，
这就造成euv反射镜类似平面镜，焦距很长，需要多个镜面反射才能达到最终成像要求，这就是需要楼主说的14镜的原因
黄泛区赤佬要是还不明白，读读下面bragg条件：
A volume Bragg grating within a glass block reflects an incident beam, if the Bragg condition is met (left-hand side). For a different angle of incidence, hardly any reflection occurs
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上次由 弃婴千枝 在 2025年 2月 9日 11:14 修改。
#58 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
人华为hr一眼就看穿河北耗子不知道布拉格条件
我这里再给你扫个盲
bragg condition
A volume Bragg grating within a glass block reflects an incident beam, if the Bragg condition is met (left-hand side). For a different angle of incidence, hardly any reflection occurs.
#59 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
弃婴说的这个估计是主要因素。消像差可能只是次要因素。弃婴千枝 写了： 2025年 2月 9日 11:01 黄泛区傻毴不懂就不要张嘴
euv是soft x ray，反射镜用的是多层镀膜方式构造bragg mirror，而不是金属抛物面mirror
euv在镜面上的反射也需要满足bragg条件，bragg条件限制了bragg mirror做成的反射镜曲率不能太大，
这就造成euv反射镜类似平面镜，焦距很长，需要多个镜面反射才能达到最终成像要求，这就是需要楼主说的14镜的原因
黄泛区赤佬要是还不明白，读读下面bragg条件：
A volume Bragg grating within a glass block reflects an incident beam, if the Bragg condition is met (left-hand side). For a different angle of incidence, hardly any reflection occurs.
而且前面我建议造个大厂房的方案可能并不好。原因是虽然镜子数量少了，但是每一个镜子直径大大增加，加工和安装难度反而增大了。
可能直接复刻ASML的设计暂时看起来是个捷径。反正人家禁运，就不要扯专利保护了，直接copy。
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#60 Re: EUV光刻机为什么要把光线反射十四次？
在EUV（极紫外）光刻机中，几乎不使用掠射镜（Grazing Incidence Mirror），而是主要使用Bragg多层反射镜。具体来说，EUV光刻机的光学系统大约使用 6-8个Bragg反射镜（用于投影系统）和 1-2个用于照明系统的额外反射镜，总共 14次反射。
1. 反射镜（Bragg多层反射镜）的使用
EUV光刻机的光学系统完全依赖 Bragg 反射镜，因为EUV光不能透过透镜，也无法在空气中传播。
Bragg 反射镜（Mo/Si 多层膜） 是EUV光刻机的核心组件，它可以在 13.5 nm 波长下提供 ~70% 的反射率。Bragg 反射镜由交替堆叠的高/低折射率材料（如 Mo/Si）组成，每层厚度经过精确控制，使得入射光在层间发生相干干涉，从而增强特定波长的反射：
Mo（钼）层：高折射率，主要用于增强反射。
Si（硅）层：低折射率，减少EUV光的吸收。
每层厚度精确控制在纳米级，使得EUV光在每个界面处产生相干叠加，从而实现高反射率。
Mo/Si 多层结构相当于一个一维光子晶体，可以选择性地高效反射 13.5 nm 波长的光，而其他波长的光会被吸收或透射。
主要用于：
照明系统（Illuminator）：调整EUV光的均匀性，使其正确照射掩模版。
投影系统（Projection Optics）：将掩模上的电路图案高精度缩小并投影到晶圆上。
2. 为什么EUV光刻机几乎不使用掠射镜？
虽然掠射镜（Grazing Incidence Mirror）在X射线光学中常见，但在EUV光刻机中几乎不适用，主要原因：
掠射镜需要极小掠射角（<2°），导致系统尺寸过大，不适用于紧凑的光刻机设计。
掠射镜的反射率比 Bragg 反射镜更低，会造成更大的光损耗。
EUV光刻机需要高数值孔径（High NA），掠射镜的工作角度限制了NA，影响分辨率。
掠射镜难以精准控制波前畸变，影响光刻精度。
3. 总结
EUV光刻机使用的主要是 Bragg 反射镜（Mo/Si 多层膜），大约 14 次反射。
掠射镜在EUV光刻机中几乎没有使用，因为它不符合EUV光刻系统的需求。
光刻机的关键技术在于优化 Bragg 反射镜的效率和减少光损耗，而不是使用掠射镜。
1. 反射镜（Bragg多层反射镜）的使用
EUV光刻机的光学系统完全依赖 Bragg 反射镜，因为EUV光不能透过透镜，也无法在空气中传播。
Bragg 反射镜（Mo/Si 多层膜） 是EUV光刻机的核心组件，它可以在 13.5 nm 波长下提供 ~70% 的反射率。Bragg 反射镜由交替堆叠的高/低折射率材料（如 Mo/Si）组成，每层厚度经过精确控制，使得入射光在层间发生相干干涉，从而增强特定波长的反射：
Mo（钼）层：高折射率，主要用于增强反射。
Si（硅）层：低折射率，减少EUV光的吸收。
每层厚度精确控制在纳米级，使得EUV光在每个界面处产生相干叠加，从而实现高反射率。
Mo/Si 多层结构相当于一个一维光子晶体，可以选择性地高效反射 13.5 nm 波长的光，而其他波长的光会被吸收或透射。
主要用于：
照明系统（Illuminator）：调整EUV光的均匀性，使其正确照射掩模版。
投影系统（Projection Optics）：将掩模上的电路图案高精度缩小并投影到晶圆上。
2. 为什么EUV光刻机几乎不使用掠射镜？
虽然掠射镜（Grazing Incidence Mirror）在X射线光学中常见，但在EUV光刻机中几乎不适用，主要原因：
掠射镜需要极小掠射角（<2°），导致系统尺寸过大，不适用于紧凑的光刻机设计。
掠射镜的反射率比 Bragg 反射镜更低，会造成更大的光损耗。
EUV光刻机需要高数值孔径（High NA），掠射镜的工作角度限制了NA，影响分辨率。
掠射镜难以精准控制波前畸变，影响光刻精度。
3. 总结
EUV光刻机使用的主要是 Bragg 反射镜（Mo/Si 多层膜），大约 14 次反射。
掠射镜在EUV光刻机中几乎没有使用，因为它不符合EUV光刻系统的需求。
光刻机的关键技术在于优化 Bragg 反射镜的效率和减少光损耗，而不是使用掠射镜。