编辑于 2025-03-14 10:01・IP 属地美国， 这是哪个琐男？

[hhcare]

点评：
激光诱导放电等离子体（LDP）技术的概念早在20世纪90年代就被提出，作为一种潜在的极紫外（EUV）光源技术。

基本原理是通过高压放电将锡（Sn）等靶材蒸发并转化为等离子体，电子与离子的碰撞产生13.5纳米的EUV光。

优势在于技术设计相对简单，理论上能效较高，且设备成本可能较低。

尽管该技术比激光产生等离子体技术要提前10年提出，却有着当时无法克服的缺点，包括：

1.LDP技术生成的EUV光源功率较低，难以满足光刻机对高吞吐量的要求。

2.LDP技术在等离子体生成过程中可能存在不稳定性，导致EUV光输出的波动。

3.LDP技术对锡等靶材的利用率较低，增加了运行成本。

4.虽然LDP设计相对简单，但在实际应用中需要解决高压放电、电极寿命等技术难题。

其中第一和第二点尤为致命，光刻的功率和稳定性直接影响了最终芯片的良率。

技术特点上说，EUV光源实质上是需要让锡的液滴蒸发成蒸汽再用高能量的激光或者高压电使其等离子体化。这个过程有两个难题

1.是如何让蒸汽的密度均匀，并且最终可以回收不至于污染镜面

2.就是如何让高能量的激光或者电能以同样角度，同样相对位置，同样的能量大小，施加到锡蒸汽团上。

之所以最终选择用lpp技术进行商业化就是因为相比于高压电，激光的精准度和重复性更高！

而这个消息里的LDP技术，从小道消息看只有80w的功率距离200w的商用还有很大的距离。

所以中国的euv光刻机进展可能不会如报道的那么快。当然，不能排除有重大技术突破的可能性，我们拭目以待。