2025年中国科学院院士竞猜
版主： Softfist
#2 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
几大条件缺一不可：
1.具有大学副院长以上或是国家重点实验室主任的行政职位，这是公共关系资源；
2.发表CNS或是别的顶刊文章多篇，这是敲门砖一；
3.获得国家级二等奖以上的奖励，这是敲门砖二；
4.对其有用的人高情商，无明显敌人；
5.个人舍得投资，最好是有公共资源渠道投资;
6.攒局过一些大项目，通过此形成自己的学术圈子，互相鼓掌。
1.具有大学副院长以上或是国家重点实验室主任的行政职位，这是公共关系资源；
2.发表CNS或是别的顶刊文章多篇，这是敲门砖一；
3.获得国家级二等奖以上的奖励，这是敲门砖二；
4.对其有用的人高情商，无明显敌人；
5.个人舍得投资，最好是有公共资源渠道投资;
6.攒局过一些大项目，通过此形成自己的学术圈子，互相鼓掌。
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上次由 earlybird1 在 2025年 6月 22日 10:27 修改。
#10 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
《自然·材料》（Nature Materials）发表了武汉大学院长何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。
CMOS晶体管作为微电子芯片的核心单元，其物理特征尺寸的不断微缩一直是集成电路发展的主要动力。然而，随着集成电路向亚3 nm技术节点迈进，以硅锗为主导的晶体管的关键尺寸正逼近其物理极限。二维半导体因其独特的晶体结构和物理化学性质，成为后摩尔信息技术的研究前沿。但由于传统硅基非晶栅介质材料存在高密度的缺陷，难以与二维半导体沟道形成理想的异质界面，基于二维半导体的电子器件尚未发挥其理论预测的全部潜力。此外，受限于带隙与介电常数之间的反比关系，介电常数高的材料通常表现出较弱的介电强度。为破解这一倒置关系，开发兼具高介电常数与宽带隙的单晶栅介质将有助于提升二维晶体管的性能和可靠性，进而推动后摩尔低功耗芯片的实现。
何军研究团队通过范德华外延方法，成功制备出兼具高介电常数（~25.5）和宽带隙的单晶二维氧化钆薄膜，突破了介电材料普遍受限于带隙和介电常数之间的反比关系。在5 MV cm-1的电场作用下，等效氧化层厚度低至1 nm的二维氧化钆仍展现出超低的泄漏电流（10-4A cm-2），满足IRDS对低功耗器件的要求。进一步，通过范德华相互作用实现单晶氧化钆与二维半导体的无损集成，高κ介电环境以及高质量栅介质/半导体界面使所构筑的二维晶体管器件在低驱动电压下表现出优异的调控性能，开关比超过109，亚阈值摆幅趋近玻尔兹曼物理极限，且能很好的屏蔽短沟道效应。基于以上低功耗二维晶体管构建的反相器电路增益达到40，功耗低至3.5nW。
这一重大成果不仅是后摩尔时代先进技术节点器件的重大突破，它的推广有望形成最新“反卡脖子技术”。
CMOS晶体管作为微电子芯片的核心单元，其物理特征尺寸的不断微缩一直是集成电路发展的主要动力。然而，随着集成电路向亚3 nm技术节点迈进，以硅锗为主导的晶体管的关键尺寸正逼近其物理极限。二维半导体因其独特的晶体结构和物理化学性质，成为后摩尔信息技术的研究前沿。但由于传统硅基非晶栅介质材料存在高密度的缺陷，难以与二维半导体沟道形成理想的异质界面，基于二维半导体的电子器件尚未发挥其理论预测的全部潜力。此外，受限于带隙与介电常数之间的反比关系，介电常数高的材料通常表现出较弱的介电强度。为破解这一倒置关系，开发兼具高介电常数与宽带隙的单晶栅介质将有助于提升二维晶体管的性能和可靠性，进而推动后摩尔低功耗芯片的实现。
何军研究团队通过范德华外延方法，成功制备出兼具高介电常数（~25.5）和宽带隙的单晶二维氧化钆薄膜，突破了介电材料普遍受限于带隙和介电常数之间的反比关系。在5 MV cm-1的电场作用下，等效氧化层厚度低至1 nm的二维氧化钆仍展现出超低的泄漏电流（10-4A cm-2），满足IRDS对低功耗器件的要求。进一步，通过范德华相互作用实现单晶氧化钆与二维半导体的无损集成，高κ介电环境以及高质量栅介质/半导体界面使所构筑的二维晶体管器件在低驱动电压下表现出优异的调控性能，开关比超过109，亚阈值摆幅趋近玻尔兹曼物理极限，且能很好的屏蔽短沟道效应。基于以上低功耗二维晶体管构建的反相器电路增益达到40，功耗低至3.5nW。
这一重大成果不仅是后摩尔时代先进技术节点器件的重大突破，它的推广有望形成最新“反卡脖子技术”。
#13 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
你跟何军有过节？earlybird1 写了： 2025年 6月 23日 12:21 《自然·材料》（Nature Materials）发表了武汉大学院长何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。
CMOS晶体管作为微电子芯片的核心单元，其物理特征尺寸的不断微缩一直是集成电路发展的主要动力。然而，随着集成电路向亚3 nm技术节点迈进，以硅锗为主导的晶体管的关键尺寸正逼近其物理极限。二维半导体因其独特的晶体结构和物理化学性质，成为后摩尔信息技术的研究前沿。但由于传统硅基非晶栅介质材料存在高密度的缺陷，难以与二维半导体沟道形成理想的异质界面，基于二维半导体的电子器件尚未发挥其理论预测的全部潜力。此外，受限于带隙与介电常数之间的反比关系，介电常数高的材料通常表现出较弱的介电强度。为破解这一倒置关系，开发兼具高介电常数与宽带隙的单晶栅介质将有助于提升二维晶体管的性能和可靠性，进而推动后摩尔低功耗芯片的实现。
何军研究团队通过范德华外延方法，成功制备出兼具高介电常数（~25.5）和宽带隙的单晶二维氧化钆薄膜，突破了介电材料普遍受限于带隙和介电常数之间的反比关系。在5 MV cm-1的电场作用下，等效氧化层厚度低至1 nm的二维氧化钆仍展现出超低的泄漏电流（10-4A cm-2），满足IRDS对低功耗器件的要求。进一步，通过范德华相互作用实现单晶氧化钆与二维半导体的无损集成，高κ介电环境以及高质量栅介质/半导体界面使所构筑的二维晶体管器件在低驱动电压下表现出优异的调控性能，开关比超过109，亚阈值摆幅趋近玻尔兹曼物理极限，且能很好的屏蔽短沟道效应。基于以上低功耗二维晶体管构建的反相器电路增益达到40，功耗低至3.5nW。
这一重大成果不仅是后摩尔时代先进技术节点器件的重大突破，它的推广有望形成最新“反卡脖子技术”。
#14 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
中国科学技术大学郭光灿院士团队的柳必恒研究员课题组与合肥本源量子计算科技有限责任公司合作，在光学和超导两个量子系统中实现真多体纠缠子空间的设备无关表征，完成了五比特纠错码码空间的自检验。5月14日，该工作发表于《物理进展报告》。
在量子信息领域，真多体纠缠态作为量子纠缠的最强形态，要求系统中任意两个子系统间均存在纠缠关联。由其构成的真纠缠子空间具有重要应用价值，特别是可以用于设计量子纠错码，通过将量子信息编码在子空间中，避免因局部退相干导致的错误扩散。然而，与两体纠缠态及真多体纠缠态的表征不同，真纠缠子空间的理论分析工具和实验验证方法仍处于空白状态。虽然基于贝尔不等式的自检验方法已成功应用于量子纠缠态的设备无关认证，但将其拓展至多体纠缠子空间仍面临重大挑战。
近期，理论同行构建了基于稳定子码框架的新型贝尔不等式，该方案可实现对纠缠子空间的普适性表征——子空间内任意量子态（包括混态）均能最大程度违背该不等式，从而为真纠缠子空间的自检验提供了理论依据。
为验证这一创新方法，研究团队在光学系统和“本源悟空”超导量子计算机上同步开展实验，成功完成五比特量子纠错码码空间的设备无关认证。通过制备系列逻辑量子态并进行贝尔测试，实验数据显示两种系统的逻辑子空间保真度分别达到82%和62%以上。该过程仅依赖实验观测的数据而无需对实验设备做可信假设。对比实验中，研究团队模拟了单个物理比特错误场景，发现逻辑态完全丧失对贝尔不等式的违背能力，证明其已脱离目标逻辑子空间。通过进一步检验错误子空间对应的贝尔不等式，成功实现对逻辑量子态空间演化的全程监控。
在量子信息领域，真多体纠缠态作为量子纠缠的最强形态，要求系统中任意两个子系统间均存在纠缠关联。由其构成的真纠缠子空间具有重要应用价值，特别是可以用于设计量子纠错码，通过将量子信息编码在子空间中，避免因局部退相干导致的错误扩散。然而，与两体纠缠态及真多体纠缠态的表征不同，真纠缠子空间的理论分析工具和实验验证方法仍处于空白状态。虽然基于贝尔不等式的自检验方法已成功应用于量子纠缠态的设备无关认证，但将其拓展至多体纠缠子空间仍面临重大挑战。
近期，理论同行构建了基于稳定子码框架的新型贝尔不等式，该方案可实现对纠缠子空间的普适性表征——子空间内任意量子态（包括混态）均能最大程度违背该不等式，从而为真纠缠子空间的自检验提供了理论依据。
为验证这一创新方法，研究团队在光学系统和“本源悟空”超导量子计算机上同步开展实验，成功完成五比特量子纠错码码空间的设备无关认证。通过制备系列逻辑量子态并进行贝尔测试，实验数据显示两种系统的逻辑子空间保真度分别达到82%和62%以上。该过程仅依赖实验观测的数据而无需对实验设备做可信假设。对比实验中，研究团队模拟了单个物理比特错误场景，发现逻辑态完全丧失对贝尔不等式的违背能力，证明其已脱离目标逻辑子空间。通过进一步检验错误子空间对应的贝尔不等式，成功实现对逻辑量子态空间演化的全程监控。
#16 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
麻痹的， 你懂个蛋，就是1与3，其它都是陪衬
earlybird1 写了： 2025年 6月 21日 19:50 几大条件缺一不可：
1.具有大学副院长以上或是国家重点实验室主任的行政职位，这是公共关系资源；
2.发表CNS或是别的顶刊文章多篇，这是敲门砖一；
3.获得国家级二等奖以上的奖励，这是敲门砖二；
4.对其有用的人高情商，无明显敌人；
5.个人舍得投资，最好是有公共资源渠道投资;
6.攒局过一些大项目，通过此形成自己的学术圈子，互相鼓掌。
#18 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
说的很对。我硕士老板就是因为有公开公认的“敌人”，每次申报，只要进了第二轮就有人去举报他，诬告他，导致含恨终生。earlybird1 写了： 2025年 6月 21日 19:50 几大条件缺一不可：
1.具有大学副院长以上或是国家重点实验室主任的行政职位，这是公共关系资源；
2.发表CNS或是别的顶刊文章多篇，这是敲门砖一；
3.获得国家级二等奖以上的奖励，这是敲门砖二；
4.对其有用的人高情商，无明显敌人；
5.个人舍得投资，最好是有公共资源渠道投资;
6.攒局过一些大项目，通过此形成自己的学术圈子，互相鼓掌。
#19 Re: 2025年中国科学院院士竞猜
没有国家奖是硬伤earlybird1 写了： 2025年 6月 23日 21:14 著名武汉大学的院长，发过多篇CNS文章，有多个大项目，有诸多的经费财力，多个著名的编辑和荣誉位置。
满足所有上院士的条件，他应该上吧？