鳖国绕开了光刻机

[Linjiaojiao]

镜头变形，与像变形，是2回事情，

ok？

镜头本质上是个对物平面的傅立叶变换，傅立叶变换作个扰动，并不一定使得变换后的函数有可以觉察的变化

这我不懂
要耗老师出辩经 为什么赛毛这么变态

[弃婴千枝]

F(z)=傅立叶变换(f(x))

F(z)就是像，假设纳米级
f(x)就是掩模，假设微米级
傅立叶变换就是镜头，粗略说缩小1000倍

现在镜头热变形，1000倍变成995倍，你说像会有什么影响？

也就是1*（1-0.005）=0.995微米而已

[llb]

这我不懂
要耗老师出辩经 为什么赛毛这么变态

0.01就是夸大其辞
我不做
但应该如此
Mask ，fused silica
架子是invar，cte低， 金属
冷却的水控制0.01
很容易应该

Mask 附近波动显然很大
一会儿有光一会儿没有

[弃婴千枝]

控制架子的变形
化学佬理解成镜头的变形了

0.01就是夸大其辞
我不做
但应该如此
Mask ，fused silica
架子是invar，cte低， 金属
冷却的水控制0.01
很容易应该

Mask 附近波动显然很大
一会儿有光一会儿没有

[llb]

控制架子的变形
化学佬理解成镜头的变形了

控制温度还可以用红外照射
不是啥难度
就是复杂而已

[Linjiaojiao]

F(z)=傅立叶变换(f(x))

F(z)就是像，假设纳米级
f(x)就是掩模，假设微米级
傅立叶变换就是镜头，粗略说缩小1000倍

现在镜头热变形，1000倍变成995倍，你说像会有什么影响？

也就是1*（1-0.005）=0.995微米而已

f(x) 是f (Z) 的四倍
要是都是计算这么简单 没必要放十几个镜头去纠正那十几个差

[coltzhao]

绕是绕不开的，不过下面光刻机能带来的提高越来越小，都是其他的立体结构，封装啥的。

你看TSMC都不要最新一代光刻机了，不是不好，不值得。

[llb]

绕是绕不开的，不过下面光刻机能带来的提高越来越小，都是其他的立体结构，封装啥的。

你看TSMC都不要最新一代光刻机了，不是不好，不值得。

就是不好， 别装！

[coltzhao]

就是不好， 别装！

能不能做的更加集成，能。
是不是制程费用贵的不值得，确实不值得。
是不是贵的买来不划算使用，确实不划算。

[llb]

能不能做的更加集成，能。
是不是制程费用贵的不值得，确实不值得。
是不是贵的买来不划算使用，确实不划算。

第一个就是
不能。

线宽窄有很多因素。。可能机器不好就会有复杂问题。

我不知道技术细节。但是感觉不能达到limit

会被低na euv 机器挤兑得没有市场

[coltzhao]

第一个就是
不能。

线宽窄有很多因素。。可能机器不好就会有复杂问题。

我不知道技术细节。但是感觉不能达到limit

会被低na euv 机器挤兑得没有市场

有啥好感觉的，不需要凭感觉。这些再发货前都已经有过成功历史记录的。
关键是能刻那么细，不代表制程需要刻那么细，也不代表刻那么细划算。

[Linjiaojiao]

第一个就是
不能。

线宽窄有很多因素。。可能机器不好就会有复杂问题。

我不知道技术细节。但是感觉不能达到limit

会被低na euv 机器挤兑得没有市场

EUV光源这么复杂 光刻胶原理不明
如果NA 0.1的话 拿什么跟193i 竞争

[llb]

EUV光源这么复杂 光刻胶原理不明
如果NA 0.1的话 拿什么跟193i 竞争

这你就不懂了。 光学设计有讲究的。 高NA显然都会有各种问题。
我照顾你面子，你就不能少说点？

[Linjiaojiao]

这你就不懂了。 光学设计有讲究的。 高NA显然都会有各种问题。
我照顾你面子，你就不能少说点？

现在谈的是你的 ultra N 四片镜机问题 这不是技术问题 而是经济性问题 和半导体业界传统 一但制程locked 不会再改
你的low N 只能跟DUV竞争 明显没人会再投钱去改已经成熟 5nm以上制程