新华社: 上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！

[gc01]

上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！预计在年底向市场交付国产第一台28nm光刻机设备！ ---- 套刻精度在1.9nm/1.7nm，估计是单机精度. ASML 1980I 单机套刻精度1.6nm, 跨机器精度2.5nm, 2
8月1日，据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！预计在年底向市场交付国产第一台28nm光刻机设备！

据悉，上海微电子在之前90nm的基础上，即将量产28nm immersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。

immersion式光刻机就是浸没式光刻机，采用ArF光源，也就是193nm波长的光源，这是第四代光刻机，这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距，上海微电子凭借此项制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商，成为继荷兰ASML后，全球第二先进的光刻机厂商巨头。

据悉，上海微电子使用的是第四代光刻机技术，通过多重曝光可实现7nm 但是为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术，如LELE（litho-etch-litho-etch）、SADP（self aligned double patterning）。

LELE技术将给定的图案分为两个密度较小的部分，通过蚀刻硬掩模，将第一层图案转移到其下的硬掩模上，最终在衬底上得到两倍图案密度的图形；SADP技术通过沉积和刻蚀工艺在心轴（mandrel）侧壁上形成间隔物，经由额外的刻蚀步骤移除心轴，使用间隔物定义最终结构，使得特征密度增加了一倍。将SADP加倍可以得到四重图案化工艺（SAQP）,使得193nm浸润式光刻可以实现~10nm的分辨率。

理论上是可以实现7nm节点工艺制程，但是会使得需要的光罩数量非常多，工艺复杂，量产难度大。应当指出，即使导入EUV，也并不是所有流程均由EUV承担，主要是应用在MOS器件关键层，其它对关键尺寸要求不高的步骤将仍由普通光刻机承担。

中国第四代浸没式光刻机有望交付 而此次上海微电子研发的SSA/800-10W光刻机设备正是属于第四代浸没式光刻机。

单次曝光就只可以直接生产28nm芯片，如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台，在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台（1.7nm），在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产。

一旦可以制造7nm芯片，就可以解决半导体产业大部分的需求，因为芯片制造6大设备，扩散炉、刻蚀机，离子注入设备、薄膜生长设备、抛光机和清洗剂，中国目前都处在主流水平，其中刻蚀机更是达到了5nm，可以完成7nm芯片的制造需求。

而目前光刻机材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化，南大光电目前已经可以生产出7nm的光刻胶，当然，在EDA工具、IC设计上中国依然和国外有较大差距。

有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％。

值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。

[hhcare]

我不信国内这个机子能量产

[gc01]

完了,可以生产7nm

如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台（1.7nm），在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产。

一旦可以制造7nm芯片，就可以解决半导体产业大部分的需求，因为芯片制造6大设备，扩散炉、刻蚀机，离子注入设备、薄膜生长设备、抛光机和清洗剂，中国目前都处在主流水平，其中刻蚀机更是达到了5nm，可以完成7nm芯片的制造需求。

[Larry Zhang]

吹牛逼打个草稿好吧？
耗子还没回国，
怎么可能有突破？
突破五毛它妹28nm的处女膜！

[_notalandlord]

完了

[Knifer]

美国会制裁所有中国学生吧，不准学英语

[fanqie]

ArF ,高精度双工作台早几年就攻克了。这个光刻机也就是水到渠成的事情。2025年再迭代一次，就能到14nm.

现在看EUV的光源问题了，这种别人已经踩出路的东西，要想卡住还是很困难的。

1nm之下的量产制造方法大家现在都没有。光源上，中国是已经有了。但是没法用来量产芯片。

[scolari]

ArF ,高精度双工作台早几年就攻克了。这个光刻机也就是水到渠成的事情。2025年再迭代一次，就能到14nm.

现在看EUV的光源问题了，这种别人已经踩出路的东西，要想卡住还是很困难的。

1nm之下的量产制造方法大家现在都没有。光源上，中国是已经有了。但是没法用来量产芯片。

吹吧，反正2025很快就到了

[hurricane1]

新华社和彭博引的都是证券日报，证券日报的原文好像已经删了

[UnixLinux]

稳

[irisyuan]

“通过多重曝光可实现7nm 但是为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术”

这是人话吗？

[wanmeishijie]

我不信国内这个机子能量产

你就是崇美！跪美！惧美！满脑子的失败主义情绪！丧失了斗争精神！这样下去怎么造的出光刻机呢？
南蛮子花了5年终于造了个DUV，你是我们北方人的优秀代表，应该直接造EUV！

[UnixLinux]

美国会制裁所有中国学生吧，不准学英语

很定会的




。

[wanmeishijie]

“通过多重曝光可实现7nm 但是为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术”

这是人话吗？

这是193nm浸润式DUV，当然可以这么搞。

[damagu3]

磨皮货，最近买了很多asml，拆了套的义乌产的壳子

[UnixLinux]

你就是崇美！跪美！惧美！满脑子的失败主义情绪！丧失了斗争精神！这样下去怎么造的出光刻机呢？
南蛮子花了5年终于造了个DUV，你是我们北方人的优秀代表，应该直接造EUV！

对

[krzkrz]

我不信国内这个机子能量产

耗子哥是不是慌了

[Larry Zhang]

新华社和彭博引的都是证券日报，证券日报的原文好像已经删了

证券日报？就是故意放假消息操控股价的
LOL

[NoDinner]

完了，堡叔白怂了

[fanqie]

其实到了七纳米， 再 缩小 没有太大意的。。。
这好比办公室软件。。。 你用10年前的版本 做事情根本没有什么 效率 上的差别。。

手机 和电脑 等等。。。 性能上早就饱和了

主要是台湾这种地方发展EUV本来就是竭泽而渔。台湾30%的电力供应台积电。