新华社: 上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！
发表于 ： 2023年 8月 2日 09:41
上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！预计在年底向市场交付国产第一台28nm光刻机设备！ ---- 套刻精度在1.9nm/1.7nm，估计是单机精度. ASML 1980I 单机套刻精度1.6nm, 跨机器精度2.5nm, 2
8月1日，据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！预计在年底向市场交付国产第一台28nm光刻机设备！
据悉，上海微电子在之前90nm的基础上，即将量产28nm immersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。
immersion式光刻机就是浸没式光刻机，采用ArF光源，也就是193nm波长的光源，这是第四代光刻机，这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距，上海微电子凭借此项制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商，成为继荷兰ASML后，全球第二先进的光刻机厂商巨头。
据悉，上海微电子使用的是第四代光刻机技术，通过多重曝光可实现7nm 但是为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术，如LELE（litho-etch-litho-etch）、SADP（self aligned double patterning）。
LELE技术将给定的图案分为两个密度较小的部分，通过蚀刻硬掩模，将第一层图案转移到其下的硬掩模上，最终在衬底上得到两倍图案密度的图形；SADP技术通过沉积和刻蚀工艺在心轴（mandrel）侧壁上形成间隔物，经由额外的刻蚀步骤移除心轴，使用间隔物定义最终结构，使得特征密度增加了一倍。将SADP加倍可以得到四重图案化工艺（SAQP）,使得193nm浸润式光刻可以实现~10nm的分辨率。
理论上是可以实现7nm节点工艺制程，但是会使得需要的光罩数量非常多，工艺复杂，量产难度大。应当指出，即使导入EUV，也并不是所有流程均由EUV承担，主要是应用在MOS器件关键层，其它对关键尺寸要求不高的步骤将仍由普通光刻机承担。
中国第四代浸没式光刻机有望交付 而此次上海微电子研发的SSA/800-10W光刻机设备正是属于第四代浸没式光刻机。
单次曝光就只可以直接生产28nm芯片，如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台，在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台（1.7nm），在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产。
一旦可以制造7nm芯片，就可以解决半导体产业大部分的需求，因为芯片制造6大设备，扩散炉、刻蚀机，离子注入设备、薄膜生长设备、抛光机和清洗剂，中国目前都处在主流水平，其中刻蚀机更是达到了5nm，可以完成7nm芯片的制造需求。
而目前光刻机材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化，南大光电目前已经可以生产出7nm的光刻胶，当然，在EDA工具、IC设计上中国依然和国外有较大差距。
有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％。
值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。
8月1日，据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破！预计在年底向市场交付国产第一台28nm光刻机设备！
据悉，上海微电子在之前90nm的基础上，即将量产28nm immersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。
immersion式光刻机就是浸没式光刻机，采用ArF光源，也就是193nm波长的光源，这是第四代光刻机，这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距，上海微电子凭借此项制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商，成为继荷兰ASML后，全球第二先进的光刻机厂商巨头。
据悉，上海微电子使用的是第四代光刻机技术，通过多重曝光可实现7nm 但是为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术，如LELE（litho-etch-litho-etch）、SADP（self aligned double patterning）。
LELE技术将给定的图案分为两个密度较小的部分，通过蚀刻硬掩模，将第一层图案转移到其下的硬掩模上，最终在衬底上得到两倍图案密度的图形；SADP技术通过沉积和刻蚀工艺在心轴（mandrel）侧壁上形成间隔物，经由额外的刻蚀步骤移除心轴，使用间隔物定义最终结构，使得特征密度增加了一倍。将SADP加倍可以得到四重图案化工艺（SAQP）,使得193nm浸润式光刻可以实现~10nm的分辨率。
理论上是可以实现7nm节点工艺制程，但是会使得需要的光罩数量非常多，工艺复杂，量产难度大。应当指出，即使导入EUV，也并不是所有流程均由EUV承担，主要是应用在MOS器件关键层，其它对关键尺寸要求不高的步骤将仍由普通光刻机承担。
中国第四代浸没式光刻机有望交付 而此次上海微电子研发的SSA/800-10W光刻机设备正是属于第四代浸没式光刻机。
单次曝光就只可以直接生产28nm芯片，如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台，在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台（1.7nm），在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产。
一旦可以制造7nm芯片，就可以解决半导体产业大部分的需求，因为芯片制造6大设备，扩散炉、刻蚀机，离子注入设备、薄膜生长设备、抛光机和清洗剂，中国目前都处在主流水平，其中刻蚀机更是达到了5nm，可以完成7nm芯片的制造需求。
而目前光刻机材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化，南大光电目前已经可以生产出7nm的光刻胶，当然，在EDA工具、IC设计上中国依然和国外有较大差距。
有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％。
值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。