科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
版主: Softfist
#1 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
啥叫分辨率? 就是理论上光刻机可以成像的最小一维图案,其实就是那个臭大街的公式 R= k*波长/NA。 然而很多人直接把R作为最小线宽,其实是误解,Resolution 指的是“pitch”的宽度,也就是说,整个光刻系统包括光刻机里的光源,镜头,na,掩膜,光刻胶整个系统intrinsic的最小成像尺寸。
这个pitch实际等于线宽+线距, 也就是衍射成像最小重复尺寸(step in), 将军们从小都学过小孔成像,pitch 指的是一个重复周期(正弦函数完成一个周期x轴的长度)。
所以说一个光刻机分辨率65nm啥意思呢,通常是指1:1 line/space ratio 的最小线宽,也就是说65nm 线宽的pitch实际上是130nm.
但是一个65nm 的光刻机能不能成像小于65nm 的线宽呢,答案是肯定的,过曝就行。但pitch 永远不会改变,因为pitch 是由光刻系统本身决定的。但是过曝的后果就是工艺窗口的减少(即缺陷的可能增加)
那么套刻又是什么?将军们都知道半导体是个三维构型,实现这个三维构型用的不是3d打印,而是通过一层一层的二维图像堆砌成的。
所以比如说你有一个层级成像晶体管的source,另外一个层级成像与source连接的pin,那么怎么能确保你的pin能够落在晶体管上的source区域呢?
这就是所谓“对准”的功能(对准通常包括x和y方向). 套刻的单位也是纳米,其定义是对准的总误差(平均值+Sigma的背书)
那麽假如你有一个可以成像65nm线宽的光刻机,一个套刻8nm能做多小的图像?总误差8nm,每边误差4nm. 工艺设计通常要求每边总误差不超过线宽10%。 所以将军们自己算一下就行。
至于多重曝光,网上的资料太多,叔不在这里重复了,将军们记住多搞一次线宽减半就行了。
那么这个国产65纳米能不能用双重曝光做28nm? 如果从工艺角度来说是不行的(正常情况下它只能做到32.5nm)。那么为啥不能第一次曝光过曝硬搞到28nm,回答是:如果你不在意晶体管得门间距一会宽一会窄,也不是不行
这个pitch实际等于线宽+线距, 也就是衍射成像最小重复尺寸(step in), 将军们从小都学过小孔成像,pitch 指的是一个重复周期(正弦函数完成一个周期x轴的长度)。
所以说一个光刻机分辨率65nm啥意思呢,通常是指1:1 line/space ratio 的最小线宽,也就是说65nm 线宽的pitch实际上是130nm.
但是一个65nm 的光刻机能不能成像小于65nm 的线宽呢,答案是肯定的,过曝就行。但pitch 永远不会改变,因为pitch 是由光刻系统本身决定的。但是过曝的后果就是工艺窗口的减少(即缺陷的可能增加)
那么套刻又是什么?将军们都知道半导体是个三维构型,实现这个三维构型用的不是3d打印,而是通过一层一层的二维图像堆砌成的。
所以比如说你有一个层级成像晶体管的source,另外一个层级成像与source连接的pin,那么怎么能确保你的pin能够落在晶体管上的source区域呢?
这就是所谓“对准”的功能(对准通常包括x和y方向). 套刻的单位也是纳米,其定义是对准的总误差(平均值+Sigma的背书)
那麽假如你有一个可以成像65nm线宽的光刻机,一个套刻8nm能做多小的图像?总误差8nm,每边误差4nm. 工艺设计通常要求每边总误差不超过线宽10%。 所以将军们自己算一下就行。
至于多重曝光,网上的资料太多,叔不在这里重复了,将军们记住多搞一次线宽减半就行了。
那么这个国产65纳米能不能用双重曝光做28nm? 如果从工艺角度来说是不行的(正常情况下它只能做到32.5nm)。那么为啥不能第一次曝光过曝硬搞到28nm,回答是:如果你不在意晶体管得门间距一会宽一会窄,也不是不行
上次由 snowman 在 2024年 9月 15日 14:29 修改。
#2 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
牙膏厂当年抵制193i 就是用 6 5 nm光刻用double patterning
注意不是double exposure作的 45nm
IBM阵营是用193i.
一次做出
要做 32 nm 用193 dry要用 quadral patterning 就象现在做14和 10nm 完全可行
只要鳖不怕亏本就行
28nm只是半个节点
32和 22 nm才是road map上的节点
注意不是double exposure作的 45nm
IBM阵营是用193i.
一次做出
要做 32 nm 用193 dry要用 quadral patterning 就象现在做14和 10nm 完全可行
只要鳖不怕亏本就行
28nm只是半个节点
32和 22 nm才是road map上的节点
#3 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
台巴子一般都说芯片制程
制程指的是pitch size
台积电目前pitch能做到2纳米
麻痹的土八路只能做到130纳米
用193纳米duv怎么刻也难刻到2纳米
所以土八路任重道远啊
制程指的是pitch size
台积电目前pitch能做到2纳米
麻痹的土八路只能做到130纳米
用193纳米duv怎么刻也难刻到2纳米
所以土八路任重道远啊
#8 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
但是你鳖既然官宣了193dry, 说明下一代的研制也在进行中了。
在全世界技术封锁的前提下,能搞出这个已经很不容易了。
上次由 snowman 在 2024年 9月 15日 15:45 修改。
#9 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
怎么缩短成10年了? 我记得上次看到的技术差距是30年来着.
物理规律在那里, 前面的 ASML 和 TSM 也不是一骑绝尘跑飞快, 后面土鳖追的速度又这么快, 以土鳖这个追赶速度, 18年差距不到5年估计就追上了.
土鳖每突破一个纳米制程节点28, 14, 7, 5, 3nm, 对应的芯片价格就会像现在的新能源汽车和内存条一样价格降一半, 然后美欧日韩的这些同行要么降价降gross margin, 要么等死, 到时候尼玛什么电脑手机全要干成白菜价, 简直是宅男福音.
#10 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
鳖的理论是,迅速抢占中低端芯片,这样会大幅降低欧美半导体总体利润,导致减少研发方面的投入,甚至让欧洲的芯片迭代速度停滞。BabyTrump2024 写了: 2024年 9月 15日 13:47 怎么缩短成10年了? 我记得上次看到的技术差距是30年来着.
物理规律在那里, 前面的 ASML 和 TSM 也不是一骑绝尘跑飞快, 后面土鳖追的速度又这么快, 以土鳖这个追赶速度, 18年差距不到5年估计就追上了.
土鳖每突破一个纳米制程节点28, 14, 7, 5, 3nm, 对应的芯片价格就会像现在的新能源汽车和内存条一样价格降一半, 然后美欧日韩的这些同行要么降价降gross margin, 要么等死, 到时候尼玛什么电脑手机全要干成白菜价, 简直是宅男福音.
而鳖的工程师在背后正日夜不停的追赶。
上次由 ssskof2002 在 2024年 9月 15日 14:19 修改。
#12 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
现在中国的半导体产业发展怎么会看公司利润? 之前已经有光伏产业和新能源汽车打样了, 前期就是拿国家补贴铺路换经验, 升级技术, 技术总是会进步, 经验总是会积攒, 只要一直做, 这种路径明确, 理论试错已经被完成的东西, 只会越亏越少.
#13 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
你确认物理上是2纳米?superdsb 写了: 2024年 9月 15日 13:09 台巴子一般都说芯片制程
制程指的是pitch size
台积电目前pitch能做到2纳米
麻痹的土八路只能做到130纳米
用193纳米duv怎么刻也难刻到2纳米
所以土八路任重道远啊
#17 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
那是以前的鳖BabyTrump2024 写了: 2024年 9月 15日 14:14 现在中国的半导体产业发展怎么会看公司利润? 之前已经有光伏产业和新能源汽车打样了, 前期就是拿国家补贴铺路换经验, 升级技术, 技术总是会进步, 经验总是会积攒, 只要一直做, 这种路径明确, 理论试错已经被完成的东西, 只会越亏越少.
十年前你要去税务局交税都会被人赶出来
现在是倒查三十年
老师工资都发不出还有那么多黑叔叔嗷嗷待哺
还想补贴 政府不上门剥皮就不错
#18 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光
鳖只要补得起BabyTrump2024 写了: 2024年 9月 15日 14:14 现在中国的半导体产业发展怎么会看公司利润? 之前已经有光伏产业和新能源汽车打样了, 前期就是拿国家补贴铺路换经验, 升级技术, 技术总是会进步, 经验总是会积攒, 只要一直做, 这种路径明确, 理论试错已经被完成的东西, 只会越亏越少.
那就补吧
#19 [转载] 国内(2023年)的先进光刻机数量(非存储)
NA: Numerical Apperture, ArF: Argon Fluoride, MMO: Mix & Match Overlay, WPH: Wafers Per Hour
这图上也有明显的错误,如EUV的型号NXE3400/3600写成了NXT3400/3600。但是关于国内先进光刻机分布的数据,还是有参考价值的。
另外可参看网页:http://finance.sina.com.cn/cj/2023-09-0 ... 5008.shtml




这图上也有明显的错误,如EUV的型号NXE3400/3600写成了NXT3400/3600。但是关于国内先进光刻机分布的数据,还是有参考价值的。
另外可参看网页:http://finance.sina.com.cn/cj/2023-09-0 ... 5008.shtml




上次由 truth 在 2024年 9月 16日 19:53 修改。
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- 论坛元老
wanmeishijie 的博客 - 帖子互动: 1991
- 帖子: 67253
- 注册时间: 2022年 12月 10日 23:58
#22 Re: [转载] 国内(2023年)的先进光刻机数量(非存储)
狂赞truth 写了: 2024年 9月 16日 16:53 NA: Numerical Apperture, ArF: Argon Fluoride, MMO: Mix & Match Overlay, WPH: Wafers Per Hour
这图上也有明显的错误,如EUV的型号NXE3400/3600写成了NXT3400/3600。但是关于国内先进光刻机分布的数据,还是有参考价值的。
另外可参看网页:http://finance.sina.com.cn/cj/2023-09-0 ... 5008.shtml
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理解了老将是代入狗的视角之后,你就理解了老将
viewtopic.php?t=120513
理解了它们是代入狗的视角之后,它们为什么会嘲笑不愿意当狗的人,以及为什么会害怕想要反抗的人,就都可以理解了:
“放着好好的狗不当”
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理解了它们是代入狗的视角之后,它们为什么会嘲笑不愿意当狗的人,以及为什么会害怕想要反抗的人,就都可以理解了:
“放着好好的狗不当”
