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#1 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 12:27
snowman
啥叫分辨率? 就是理论上光刻机可以成像的最小一维图案,其实就是那个臭大街的公式 R= k*波长/NA。 然而很多人直接把R作为最小线宽,其实是误解,Resolution 指的是“pitch”的宽度,也就是说,整个光刻系统包括光刻机里的光源,镜头,na,掩膜,光刻胶整个系统intrinsic的最小成像尺寸。

这个pitch实际等于线宽+线距, 也就是衍射成像最小重复尺寸(step in), 将军们从小都学过小孔成像,pitch 指的是一个重复周期(正弦函数完成一个周期x轴的长度)。

所以说一个光刻机分辨率65nm啥意思呢,通常是指1:1 line/space ratio 的最小线宽,也就是说65nm 线宽的pitch实际上是130nm.

但是一个65nm 的光刻机能不能成像小于65nm 的线宽呢,答案是肯定的,过曝就行。但pitch 永远不会改变,因为pitch 是由光刻系统本身决定的。但是过曝的后果就是工艺窗口的减少(即缺陷的可能增加)

那么套刻又是什么?将军们都知道半导体是个三维构型,实现这个三维构型用的不是3d打印,而是通过一层一层的二维图像堆砌成的。

所以比如说你有一个层级成像晶体管的source,另外一个层级成像与source连接的pin,那么怎么能确保你的pin能够落在晶体管上的source区域呢?
这就是所谓“对准”的功能(对准通常包括x和y方向). 套刻的单位也是纳米,其定义是对准的总误差(平均值+Sigma的背书)

那麽假如你有一个可以成像65nm线宽的光刻机,一个套刻8nm能做多小的图像?总误差8nm,每边误差4nm. 工艺设计通常要求每边总误差不超过线宽10%。 所以将军们自己算一下就行。

至于多重曝光,网上的资料太多,叔不在这里重复了,将军们记住多搞一次线宽减半就行了。

那么这个国产65纳米能不能用双重曝光做28nm? 如果从工艺角度来说是不行的(正常情况下它只能做到32.5nm)。那么为啥不能第一次曝光过曝硬搞到28nm,回答是:如果你不在意晶体管得门间距一会宽一会窄,也不是不行

#2 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:07
Linjiaojiao
牙膏厂当年抵制193i 就是用 6 5 nm光刻用double patterning
注意不是double exposure作的 45nm
IBM阵营是用193i.
一次做出
要做 32 nm 用193 dry要用 quadral patterning 就象现在做14和 10nm 完全可行
只要鳖不怕亏本就行
28nm只是半个节点
32和 22 nm才是road map上的节点

#3 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:09
superdsb
台巴子一般都说芯片制程
制程指的是pitch size
台积电目前pitch能做到2纳米
麻痹的土八路只能做到130纳米
用193纳米duv怎么刻也难刻到2纳米
所以土八路任重道远啊

#4 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:10
Newmituser
为什么不官宣SSA800?

#6 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:27
snowman
65nm dry 是阿斯麦18年前的技术节点

#7 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:32
ssskof2002
snowman 写了: 2024年 9月 15日 13:27 65nm dry 是阿斯麦18年前的技术节点
老外说你鳖和我帝半导体有10年以上的差距,看来不假

#8 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:32
snowman
ssskof2002 写了: 2024年 9月 15日 13:32 老外说你鳖和我帝半导体有10年以上的差距,看来不假
但是你鳖既然官宣了193dry, 说明下一代的研制也在进行中了。

在全世界技术封锁的前提下,能搞出这个已经很不容易了。

#9 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:47
BabyTrump2024
ssskof2002 写了: 2024年 9月 15日 13:32 老外说你鳖和我帝半导体有10年以上的差距,看来不假
怎么缩短成10年了? 我记得上次看到的技术差距是30年来着.
物理规律在那里, 前面的 ASML 和 TSM 也不是一骑绝尘跑飞快, 后面土鳖追的速度又这么快, 以土鳖这个追赶速度, 18年差距不到5年估计就追上了.
土鳖每突破一个纳米制程节点28, 14, 7, 5, 3nm, 对应的芯片价格就会像现在的新能源汽车和内存条一样价格降一半, 然后美欧日韩的这些同行要么降价降gross margin, 要么等死, 到时候尼玛什么电脑手机全要干成白菜价, 简直是宅男福音.

#10 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 13:53
ssskof2002
BabyTrump2024 写了: 2024年 9月 15日 13:47 怎么缩短成10年了? 我记得上次看到的技术差距是30年来着.
物理规律在那里, 前面的 ASML 和 TSM 也不是一骑绝尘跑飞快, 后面土鳖追的速度又这么快, 以土鳖这个追赶速度, 18年差距不到5年估计就追上了.
土鳖每突破一个纳米制程节点28, 14, 7, 5, 3nm, 对应的芯片价格就会像现在的新能源汽车和内存条一样价格降一半, 然后美欧日韩的这些同行要么降价降gross margin, 要么等死, 到时候尼玛什么电脑手机全要干成白菜价, 简直是宅男福音.
鳖的理论是,迅速抢占中低端芯片,这样会大幅降低欧美半导体总体利润,导致减少研发方面的投入,甚至让欧洲的芯片迭代速度停滞。

而鳖的工程师在背后正日夜不停的追赶。

#11 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 14:01
Linjiaojiao
中低端芯片如果用旧设备生产 还是有利润
但如杲用鳖新设备生产 相当开发新的制程 就看鳖能赔上多少钱 多少血可流

#12 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 14:14
BabyTrump2024
Linjiaojiao 写了: 2024年 9月 15日 14:01 中低端芯片如果用旧设备生产 还是有利润
但如杲用鳖新设备生产 相当开发新的制程 就看鳖能赔上多少钱 多少血可流
现在中国的半导体产业发展怎么会看公司利润? 之前已经有光伏产业和新能源汽车打样了, 前期就是拿国家补贴铺路换经验, 升级技术, 技术总是会进步, 经验总是会积攒, 只要一直做, 这种路径明确, 理论试错已经被完成的东西, 只会越亏越少.

#13 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 15:22
Deepsix
superdsb 写了: 2024年 9月 15日 13:09 台巴子一般都说芯片制程
制程指的是pitch size
台积电目前pitch能做到2纳米
麻痹的土八路只能做到130纳米
用193纳米duv怎么刻也难刻到2纳米
所以土八路任重道远啊
你确认物理上是2纳米?

#14 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 15:39
Linjiaojiao
Deepsix 写了: 2024年 9月 15日 15:22 你确认物理上是2纳米?
台巴是诈骗岛,2约等于7或5

#15 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 20:47
snowman
Linjiaojiao 写了: 2024年 9月 15日 15:39 台巴是诈骗岛,2约等于7或5
属实。
用意会尺寸代替物理尺寸命名tech node是台巴首创

#16 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 20:49
HouseMD
snowman 写了: 2024年 9月 15日 20:47 属实。
用意会尺寸代替物理尺寸命名tech node是台巴首创
属实,台畜为了卖东西,怎么骗人怎么来

#17 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 15日 21:08
Linjiaojiao
BabyTrump2024 写了: 2024年 9月 15日 14:14 现在中国的半导体产业发展怎么会看公司利润? 之前已经有光伏产业和新能源汽车打样了, 前期就是拿国家补贴铺路换经验, 升级技术, 技术总是会进步, 经验总是会积攒, 只要一直做, 这种路径明确, 理论试错已经被完成的东西, 只会越亏越少.
那是以前的鳖
十年前你要去税务局交税都会被人赶出来
现在是倒查三十年
老师工资都发不出还有那么多黑叔叔嗷嗷待哺
还想补贴 政府不上门剥皮就不错

#18 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 16日 14:59
zmimy
BabyTrump2024 写了: 2024年 9月 15日 14:14 现在中国的半导体产业发展怎么会看公司利润? 之前已经有光伏产业和新能源汽车打样了, 前期就是拿国家补贴铺路换经验, 升级技术, 技术总是会进步, 经验总是会积攒, 只要一直做, 这种路径明确, 理论试错已经被完成的东西, 只会越亏越少.
鳖只要补得起

那就补吧

#19 [转载] 国内(2023年)的先进光刻机数量(非存储)

发表于 : 2024年 9月 16日 16:53
truth
NA: Numerical Apperture, ArF: Argon Fluoride, MMO: Mix & Match Overlay, WPH: Wafers Per Hour

这图上也有明显的错误,如EUV的型号NXE3400/3600写成了NXT3400/3600。但是关于国内先进光刻机分布的数据,还是有参考价值的。

另外可参看网页:http://finance.sina.com.cn/cj/2023-09-0 ... 5008.shtml

图片

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#20 Re: 科普一下分辨率,套刻,线宽, 和双重曝光

发表于 : 2024年 9月 16日 17:06
fanqie
14nm之后都是文字游戏了

#22 Re: [转载] 国内(2023年)的先进光刻机数量(非存储)

发表于 : 2024年 9月 16日 22:58
wanmeishijie
truth 写了: 2024年 9月 16日 16:53 NA: Numerical Apperture, ArF: Argon Fluoride, MMO: Mix & Match Overlay, WPH: Wafers Per Hour

这图上也有明显的错误,如EUV的型号NXE3400/3600写成了NXT3400/3600。但是关于国内先进光刻机分布的数据,还是有参考价值的。

另外可参看网页:http://finance.sina.com.cn/cj/2023-09-0 ... 5008.shtml

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