研究公司发现，长江存储科技公司正在将一种新设计集成到具有 294 个门的芯片中
分析师预计长江存储科技公司将把其新的 Xtacking4.0 芯片设计集成到层数更高的内存芯片中。
TechInsights 的一份报告显示，在北京力推技术自给自足的背景下，中国领先的闪存芯片制造商长江存储科技股份有限公司（YMTC）不顾美国制裁，取得了重大技术突破。 据加拿大集成电路（IC）研究公司TechInsights最近的报告显示，长江存储在其最高密度3D NAND芯片中实现了新的Xtacking4.0内存芯片设计，该设计是在商用志泰TiPro9000固态存储设备中发现的。 该芯片采用双层结构，下层有 150 个门，上层有 144 个门，总共 294 个门。它使用所谓的混合键合技术将两个晶圆连接在一起。 继去年发布长江存储的 160 层产品等 Xtacking4.0 设备后，业内观察人士预计该公司将把这种架构融入到层数更高的产品中。
这种新设计超越了其前身的复杂程度，前身总共有 180 个门。虽然内部布局有所改进，但其最显著的成就是存储密度，其容量达到业界首创的每平方毫米超过 20 千兆位。TechInsights 估计该设计包含大约 270 个活动内存层。 撰写该报告的 TechInsights 高级分析师 Jeongdong Choe 表示：“重要的一点是，中国的长江存储已经击败了竞争对手。凭借新的 Xtacking4.0 技术，长江存储似乎找到了一种利用这款新芯片突破当前禁令的方法。”
长江存储尚未公开发布该技术突破的细节。当被要求发表评论时，该公司没有回答这个问题，只是表示“致力于推动全球创新，进一步推动行业发展，满足客户和合作伙伴不断变化的需求”。
两年前，华盛顿将长江存储列入所谓的“实体名单”。制裁切断了该公司与泛林集团等领先半导体设备制造商的联系，导致泛林集团无法再为长江存储提供高产量所依赖的机器提供服务。 此后，这家总部位于武汉的芯片制造商越来越依赖北方华创科技集团等国内芯片工具制造商。 在现代 3D NAND 结构中，多个有源层与栅极结构垂直堆叠，以创建高密度存储。这些有源层的质量和成分显著影响着存储设备的整体性能和耐用性。
Choe 在回复电子邮件询问时表示：“长江存储是混合键合技术的领导者，而这项技术对于更高层次的 3D NAND 至关重要。这就是三星和其他 NAND 公司追随并为下一代混合键合结构做准备的原因。” Choe 补充道，得益于长江存储成熟的混合键合技术，他们可能能够添加更多层。 长江存储受到韩国三星电子和 SK 海力士等全球竞争对手的密切关注，它们仍然领先于全球内存市场。
SK海力士为人工智能芯片制造商供应超过50%的先进高带宽内存芯片，根据该公司11月份的一份声明，该公司有望在今年上半年量产业界最高的321层4D NAND芯片。 由于需求疲软和供应过剩，预计今年全球 NAND 闪存市场竞争将加剧，而中国供应商在国内替代政策的推动下积极扩大生产，加剧了这一局面。据台湾 IC 研究公司 TrendForce 的一份报告称，为了应对这种情况，三星、SK 海力士和美国美光科技计划通过降低利用率和推迟工艺升级来削减产量。
完了， 中国顶级存储芯片制造商长江存储无视美国制裁，取得另一项设计突破
版主： Softfist
#4 Re: 完了， 中国顶级存储芯片制造商长江存储无视美国制裁，取得另一项设计突破
吹这个已经没有意义了。
别人已经高出了新方法，更快，更可靠。现在的存储芯片容易坏。
别人已经高出了新方法，更快，更可靠。现在的存储芯片容易坏。
snowman 写了： 2025年 1月 28日 09:20 研究公司发现，长江存储科技公司正在将一种新设计集成到具有 294 个门的芯片中
分析师预计长江存储科技公司将把其新的 Xtacking4.0 芯片设计集成到层数更高的内存芯片中。
TechInsights 的一份报告显示，在北京力推技术自给自足的背景下，中国领先的闪存芯片制造商长江存储科技股份有限公司（YMTC）不顾美国制裁，取得了重大技术突破。 据加拿大集成电路（IC）研究公司TechInsights最近的报告显示，长江存储在其最高密度3D NAND芯片中实现了新的Xtacking4.0内存芯片设计，该设计是在商用志泰TiPro9000固态存储设备中发现的。 该芯片采用双层结构，下层有 150 个门，上层有 144 个门，总共 294 个门。它使用所谓的混合键合技术将两个晶圆连接在一起。 继去年发布长江存储的 160 层产品等 Xtacking4.0 设备后，业内观察人士预计该公司将把这种架构融入到层数更高的产品中。
这种新设计超越了其前身的复杂程度，前身总共有 180 个门。虽然内部布局有所改进，但其最显著的成就是存储密度，其容量达到业界首创的每平方毫米超过 20 千兆位。TechInsights 估计该设计包含大约 270 个活动内存层。 撰写该报告的 TechInsights 高级分析师 Jeongdong Choe 表示：“重要的一点是，中国的长江存储已经击败了竞争对手。凭借新的 Xtacking4.0 技术，长江存储似乎找到了一种利用这款新芯片突破当前禁令的方法。”
长江存储尚未公开发布该技术突破的细节。当被要求发表评论时，该公司没有回答这个问题，只是表示“致力于推动全球创新，进一步推动行业发展，满足客户和合作伙伴不断变化的需求”。
两年前，华盛顿将长江存储列入所谓的“实体名单”。制裁切断了该公司与泛林集团等领先半导体设备制造商的联系，导致泛林集团无法再为长江存储提供高产量所依赖的机器提供服务。 此后，这家总部位于武汉的芯片制造商越来越依赖北方华创科技集团等国内芯片工具制造商。 在现代 3D NAND 结构中，多个有源层与栅极结构垂直堆叠，以创建高密度存储。这些有源层的质量和成分显著影响着存储设备的整体性能和耐用性。
Choe 在回复电子邮件询问时表示：“长江存储是混合键合技术的领导者，而这项技术对于更高层次的 3D NAND 至关重要。这就是三星和其他 NAND 公司追随并为下一代混合键合结构做准备的原因。” Choe 补充道，得益于长江存储成熟的混合键合技术，他们可能能够添加更多层。 长江存储受到韩国三星电子和 SK 海力士等全球竞争对手的密切关注，它们仍然领先于全球内存市场。
SK海力士为人工智能芯片制造商供应超过50%的先进高带宽内存芯片，根据该公司11月份的一份声明，该公司有望在今年上半年量产业界最高的321层4D NAND芯片。 由于需求疲软和供应过剩，预计今年全球 NAND 闪存市场竞争将加剧，而中国供应商在国内替代政策的推动下积极扩大生产，加剧了这一局面。据台湾 IC 研究公司 TrendForce 的一份报告称，为了应对这种情况，三星、SK 海力士和美国美光科技计划通过降低利用率和推迟工艺升级来削减产量。
共产党就是赤裸裸黑手党