IT之家 1 月 31 日消息，据外媒 Tom's shardware 报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。
外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和 I/O 性能。
具体规格方面，长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存的位密度据称超过了 20Gb / mm²，略低于铠侠和西部数据 BiCS8 QLC NAND 闪存的 22.9Gb / mm²。
外媒称，目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平，该公司现已成为全球 NAND 市场的有力竞争者。
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据香港南华周报报道，加拿大集成电路（IC）研究公司TechInsights最近的报告显示，长江存储在其最高密度3D NAND芯片中实现了新的Xtacking4.0内存芯片设计，该设计是在商用致态TiPro9000固态存储设备中发现的。
该芯片采用双层堆叠结构，下层有 150 个层，上层有 144 个层，总共 294 个层。它使用所谓的混合键合技术将两个晶圆连接在一起。
继去年发布长江存储的 160 层产品等 Xtacking4.0 设备后，业内观察人士预计该公司将把这种架构融入到层数更高的产品中。
这种新设计超越了其前身的复杂程度，前身总共有 180 个层。虽然内部布局有所改进，但其最显著的成就是存储密度，其容量达到业界首创的每平方毫米超过 20 千兆位。TechInsights 估计该设计包含大约 270 个活动内存层。
长江存储开始出货第5代294层3D Nand
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