新未名空间

湖大又双叒叕搞出大新闻了！登上顶级期刊Science封面级别的研究啊！湖南大学段曦东教授团队这次直接把二维晶体管性能天花板给捅穿了！！！
简单粗暴一句话亮点： 搞定了二维芯片里最头疼的“p型掺杂”世纪难题！ 性能数据离谱到窒息：接触电阻低到0.041 kΩ·μm！电流高到2.30 mA/μm！直接破世界纪录！
为啥这么牛？给你用人话说
1. 二维芯片的“世纪痛点”：
芯片越做越小，薄到原子层级别的时候（想象一下一层原子！），传统方法根本没法有效给它“打孔”（p型掺杂），导致性能卡脖子！
2. 湖大团队的神操作：
他们玩转了两种超薄材料（SnS₂和WSe₂），像搭乐高一样叠在一起（范德华异质结），再巧妙加个“电闸”（栅极）调控！
3. 效果炸裂：
密度飙升5倍！ 空穴密度高达 1.49 × 10¹⁴ /cm² (看不懂没关系，记住：超高！远超物理极限！)
电阻低到离谱！ 接触电阻仅 0.041 kΩ·μm (业内顶尖水平，意味着信号传输超快！)
电流强到飞起！ 导通电流密度 2.30 mA/μm (破纪录！性能翻倍级别的提升！)
划重点：这波操作不只是针对一种材料！它是一种全新的“万能思路”（gate-driven band modulation hyperdoping），未来各种二维芯片都能用！想象空间巨大！
意义有多大？ 这意味着下一代超薄、超强、超省电的芯片离我们更近了！手机电脑速度更快、更轻薄、续航更持久不是梦！妥妥的科技强国实力认证！

应该发中文期刊

＂世纪难题＂，哪个世纪？

一看就知道美肌吧雕用的水文

chuanjianguo 写了： 2025年 6月 13日 23:58 一看就知道美肌吧雕用的水文

展开说说

论文发表在2025年6月12日的《科学》杂志上，但不是封面，而是在Research Articles部分。通讯作者是段曦东。

https://www.science.org/toc/science/388/6752
https://www.science.org/doi/10.1126/science.adp8444

Gate-driven band modulation hyperdoping for high-performance p-type 2D semiconductor transistors
Science, 12 Jun 2025, Vol 388, Issue 6752, pp. 1183-1188

Editor‘s summary -- Phil Szuromi
Band alignment effects enable high levels of hole doping in a tungsten diselenide bilayer through its transfer of electrons into an adjacent tin disulfide monolayer. Ion implantation is often used to dope in semiconductor films, but this is difficult in few-layer transition metal dichalcogenides. Zhao et al. show that tuning of the band offset and charge transfer across the van der Waals interface with an external gate bias can produce a hole density of 1.49 x 10^14 per square centimeter, which is about five times the conventional dielectric limit.

chuanjianguo 写了： 2025年 6月 13日 23:58 一看就知道美肌吧雕用的水文

你是硬功？说说

纱布用AI充专家

superdsb 写了： 2025年 6月 13日 23:07 湖大又双叒叕搞出大新闻了！登上顶级期刊Science封面级别的研究啊！湖南大学段曦东教授团队这次直接把二维晶体管性能天花板给捅穿了！！！
简单粗暴一句话亮点： 搞定了二维芯片里最头疼的“p型掺杂”世纪难题！ 性能数据离谱到窒息：接触电阻低到0.041 kΩ·μm！电流高到2.30 mA/μm！直接破世界纪录！
为啥这么牛？给你用人话说
1. 二维芯片的“世纪痛点”：
芯片越做越小，薄到原子层级别的时候（想象一下一层原子！），传统方法根本没法有效给它“打孔”（p型掺杂），导致性能卡脖子！
2. 湖大团队的神操作：
他们玩转了两种超薄材料（SnS₂和WSe₂），像搭乐高一样叠在一起（范德华异质结），再巧妙加个“电闸”（栅极）调控！
3. 效果炸裂：
密度飙升5倍！ 空穴密度高达 1.49 × 10¹⁴ /cm² (看不懂没关系，记住：超高！远超物理极限！)
电阻低到离谱！ 接触电阻仅 0.041 kΩ·μm (业内顶尖水平，意味着信号传输超快！)
电流强到飞起！ 导通电流密度 2.30 mA/μm (破纪录！性能翻倍级别的提升！)
划重点：这波操作不只是针对一种材料！它是一种全新的“万能思路”（gate-driven band modulation hyperdoping），未来各种二维芯片都能用！想象空间巨大！
意义有多大？ 这意味着下一代超薄、超强、超省电的芯片离我们更近了！手机电脑速度更快、更轻薄、续航更持久不是梦！妥妥的科技强国实力认证！

刷文章灌水而已，看不到什么应用前景

一个结巴毛的物理都没有，就解决了世纪难题，卡脖子，二维芯片？这种结巴玩意比量子计算还虚

文章有多牛，没看过，不好说。但这篇简介，我坚持认为，惊叹号的数目，与SB程度成正比。

superdsb 写了： 2025年 6月 13日 23:07 湖大又双叒叕搞出大新闻了！登上顶级期刊Science封面级别的研究啊！湖南大学段曦东教授团队这次直接把二维晶体管性能天花板给捅穿了！！！
简单粗暴一句话亮点： 搞定了二维芯片里最头疼的“p型掺杂”世纪难题！ 性能数据离谱到窒息：接触电阻低到0.041 kΩ·μm！电流高到2.30 mA/μm！直接破世界纪录！
为啥这么牛？给你用人话说
1. 二维芯片的“世纪痛点”：
芯片越做越小，薄到原子层级别的时候（想象一下一层原子！），传统方法根本没法有效给它“打孔”（p型掺杂），导致性能卡脖子！
2. 湖大团队的神操作：
他们玩转了两种超薄材料（SnS₂和WSe₂），像搭乐高一样叠在一起（范德华异质结），再巧妙加个“电闸”（栅极）调控！
3. 效果炸裂：
密度飙升5倍！ 空穴密度高达 1.49 × 10¹⁴ /cm² (看不懂没关系，记住：超高！远超物理极限！)
电阻低到离谱！ 接触电阻仅 0.041 kΩ·μm (业内顶尖水平，意味着信号传输超快！)
电流强到飞起！ 导通电流密度 2.30 mA/μm (破纪录！性能翻倍级别的提升！)
划重点：这波操作不只是针对一种材料！它是一种全新的“万能思路”（gate-driven band modulation hyperdoping），未来各种二维芯片都能用！想象空间巨大！
意义有多大？ 这意味着下一代超薄、超强、超省电的芯片离我们更近了！手机电脑速度更快、更轻薄、续航更持久不是梦！妥妥的科技强国实力认证！

《科学》杂志发表的论文当然是基础研究，与实际应用还有距离。看编辑写的评论，还是很好的研究工作。

Phillip D. Szuromi
Deputy Editor, Research
Education: BS, Harvey Mudd College; PhD, California Institute of Technology
Areas of responsibility: Chemistry, physics, materials science

sgisp2 写了： 2025年 6月 14日 06:29 刷文章灌水而已，看不到什么应用前景

chuanjianguo 写了： 2025年 6月 14日 06:59 一个结巴毛的物理都没有，就解决了世纪难题，卡脖子，二维芯片？这种结巴玩意比量子计算还虚

量子计算本身已经很虚了

superdsb 写了： 2025年 6月 13日 23:07 湖大又双叒叕搞出大新闻了！登上顶级期刊Science封面级别的研究啊！湖南大学段曦东教授团队这次直接把二维晶体管性能天花板给捅穿了！！！
简单粗暴一句话亮点： 搞定了二维芯片里最头疼的“p型掺杂”世纪难题！ 性能数据离谱到窒息：接触电阻低到0.041 kΩ·μm！电流高到2.30 mA/μm！直接破世界纪录！
为啥这么牛？给你用人话说
1. 二维芯片的“世纪痛点”：
芯片越做越小，薄到原子层级别的时候（想象一下一层原子！），传统方法根本没法有效给它“打孔”（p型掺杂），导致性能卡脖子！
2. 湖大团队的神操作：
他们玩转了两种超薄材料（SnS₂和WSe₂），像搭乐高一样叠在一起（范德华异质结），再巧妙加个“电闸”（栅极）调控！
3. 效果炸裂：
密度飙升5倍！ 空穴密度高达 1.49 × 10¹⁴ /cm² (看不懂没关系，记住：超高！远超物理极限！)
电阻低到离谱！ 接触电阻仅 0.041 kΩ·μm (业内顶尖水平，意味着信号传输超快！)
电流强到飞起！ 导通电流密度 2.30 mA/μm (破纪录！性能翻倍级别的提升！)
划重点：这波操作不只是针对一种材料！它是一种全新的“万能思路”（gate-driven band modulation hyperdoping），未来各种二维芯片都能用！想象空间巨大！
意义有多大？ 这意味着下一代超薄、超强、超省电的芯片离我们更近了！手机电脑速度更快、更轻薄、续航更持久不是梦！妥妥的科技强国实力认证！

我超喜欢这种文风。