据Digitimes Asia报道，随着长鑫存储和长江存储加大DRAM和NAND闪存的量产力度，产业焦点逐渐转向芯片开发的基础环节：用国产电子设计自动化（EDA）工具替代对海外的依赖。
长鑫存储的 DRAM 产能在 2025 年迎来爆发式增长，月均产量从 2024 年的 10 万片跃升至 20 万片，预计全年产量达 273 万片。其技术突破不仅体现在 DDR5 的量产上，更通过与华大九天等国产 EDA 企业的合作，实现了从设计到量产的全链条国产化支持。例如，华大九天的存储全流程 EDA 工具系统为长江存储的武汉工厂提供了从原理图设计到版图开发的高效流程，缩短了设计周期，并通过工艺适配和 PDK 开发确保设计成果无缝过渡到量产环节。这种深度协同使得长江存储的 DRAM 芯片在性能和成本上逐步具备与国际厂商竞争的能力。
长江存储的 NAND 闪存产线同样展现出强劲的国产化决心。其首条全国产化试验线将于 2025 年下半年试产，目标是在 2026 年实现全球 15% 的市场份额。为突破美国设备限制，长江存储导入自研技术与国产设备，294 层堆叠的 X4-9070 芯片已实现量产，接口速度达 3600 MT/s。这一进展离不开国产 EDA 工具在先进封装和系统验证领域的支持。例如，芯和半导体与麒麟软件完成的 EDA 工具与操作系统互认证，覆盖了从芯片到封装再到系统的主流设计需求，其 2.5D/3D 先进封装仿真平台 Metis 可解决高密度互连带来的复杂电磁耦合问题，为长江存储的高堆叠 NAND 闪存提供了关键技术保障。
美国对 EDA 工具的出口限制虽在 2025 年 7 月暂时解除，但行业已深刻意识到自主可控的紧迫性。合见工软等企业通过技术创新快速响应市场需求，其新一代全场景验证硬件系统 UVHS-2 容量提升超 2 倍，支持 RISC-V 架构的虚拟原型设计工具套件缩短了芯片开发周期。这种技术突破不仅体现在性能上，更通过与开芯院、达摩院玄铁等企业的合作，将处理器开发验证效率提升数倍，为国产芯片的迭代创新提供了底层支撑。
国产 EDA 产业的发展正呈现多点突破的态势。华大九天在存储电路设计领域的市场份额已达 5.9%，其物理验证平台 Empyrean Argus 性能超越国际同类工具 2-5 倍，并通过三星、TowerJazz 等海外晶圆厂认证。芯和半导体的射频 EDA 设计平台 XDS 支持从芯片到封装的跨尺度仿真，满足人工智能、数据中心等领域的复杂需求。据预测，2025 年中国 EDA 市场规模将达 149.5 亿元，其中国产化率预计提升至 17%，制造类 EDA 市场因先进制程需求增长显著，预计规模达 23.6 亿元。
国际三巨头新思科技、楷登电子和西门子 EDA 仍占据全球 80% 以上的市场份额，其工具链的完整性和工艺适配性短期内难以超越。但中国企业正通过 “工具链 + 基础软件” 的协同创新模式破局。例如，芯和半导体与麒麟软件的合作不仅实现了 EDA 工具的国产化部署，更推动了 “芯片 - EDA-OS - 应用” 全链条自主化进程。这种模式被业内视为突破高端工业软件封锁的关键路径，通过系统级优化实现了效能的质的飞跃。
未来，随着长鑫和长江存储的产能进一步释放，国产 EDA 工具将在实践中加速迭代。合见工软等企业已推出支持 Chiplet 探索的数字实现工具，帮助客户在异构集成中降低设计门槛；华大九天计划通过并购完善数字电路工具链，缩小与国际巨头的差距。这种从点工具突破到全流程覆盖的演进，标志着中国 EDA 产业正从替代阶段向创新阶段迈进。在半导体产业的底层逻辑重构中，国产 EDA 工具的崛起不仅是技术自主的象征，更是支撑中国从 “制造大国” 向 “设计强国” 转型的核心引擎。